[发明专利]一种预加重电路及低压差分信号驱动器有效

专利信息
申请号: 202210144684.7 申请日: 2022-01-28
公开(公告)号: CN114880263B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 张菁健;田磊;吴晓闻;张卓 申请(专利权)人: 上海先楫半导体科技有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40;G06F13/42
代理公司: 上海汉之律师事务所 31378 代理人: 冯华
地址: 201206 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 加重 电路 低压 信号 驱动器
【说明书】:

发明公开一种预加重电路及低压差分信号驱动器,所述预加重电路包括:脉冲产生与控制模块,其被配置为根据外部输入信号来生成预加重脉冲信号;至少一条充放电通路,其被配置为响应于所述预加重脉冲信号来向LVDS驱动电路提供预加重电流,并将预加重电路直通到地;其中,所述充放电通路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一阻断单元以及第二阻断单元。本发明的预加重电路在充放电通路中引入电流阱,为预加重电路的工作电流提供了到地的通路,有效的减小了预加重电路本身带来的共模干扰。

技术领域

本发明涉及数据传输领技术领域,特别涉及一种预加重电路及低压差分信号驱动器。

背景技术

低压差分信号(LVDS)发射器作为高速串行数据通信接口,已经在高速背板、处理器等高速应用场合得到了广泛应用,是一种重要的高速串行数据接口。

图1示出了一种常规的低压差分信号发射器的电路图。信号pp和nn是一组差分信号,当nn为高电平,pp为低电平,电流I0依次流过PMOS管MP0、电阻R0、NMOS管Mn1和电阻R1;反之,依次流过PMOS管MP1、电阻R0、NMOS管Mn0和电阻R1。这两种情况会在电阻R0上形成Vout=I0*R0=3.5mA*100Ω=350mV的正负压降,从而转为低压差分信号被LVDS接收器接收。图2示出了输入到图1所示的LVDS发射器的数据信号与转换后的输出信号的时序图。

如图3所示,由于没有预加重的发射端信号,经过传输线之后,接收端信号高频能量严重衰减,而预加重能够补偿传输线的高频能量衰减,使接收端信号眼图进一步张大,提高了信号质量。但同时会导致低压差分信号发射器在传输高速数据信号时,造成共模信号的恶化,而且传输信号的频率越高,共模信号被干扰的越严重。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种预加重电路及低压差分信号驱动器,用于解决现有技术中的低压差分信号发射器在传输高速数据信号时,预加重电路会造成共模信号的恶化,并且传输信号的频率越高,共模信号被干扰的越严重的技术问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种预加重电路,应用于低压差分信号驱动器,所述预加重电路包括:

脉冲产生与控制模块,其被配置为根据外部输入信号来生成预加重脉冲信号;

至少一条充放电通路,其被配置为响应于所述预加重脉冲信号来向LVDS驱动电路提供预加重电流,并将预加重电路直通到地;

其中,所述充放电通路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一阻断单元以及第二阻断单元;

所述第一PMOS管的源极与电压源连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接,所述第一PMOS管的栅极与电流镜参考电流源连接;

所述第二PMOS管的漏极与LVDS驱动电路的第一主通路连接,所述第二PMOS管的栅极通过所述第一阻断单元与所述脉冲产生与控制模块的输出端耦接;

所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接,所述第一NMOS管的漏极与所述LVDS驱动电路的第二主通路连接,所述第一NMOS管的栅极通过所述第二阻断单元与所述脉冲产生与控制模块的输出端耦接;

所述第二NMOS管的栅极与电流镜偏置电压连接,所述第二NMOS管的源极接地;

所述第一阻断单元和所述第二阻断单元被配置为接收外部控制信号来控制所述充放电通路的通断,并且当所述充放电通路关断时阻断预加重脉冲信号对于所述LVDS驱动电路的第一主通路和第二主通路的干扰。

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