[发明专利]一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202210145533.3 申请日: 2022-02-17
公开(公告)号: CN114540799A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 胡承;唐敢然;徐兴龙;吴彩庭;刘欣 申请(专利权)人: 季华实验室
主分类号: C23C16/46 分类号: C23C16/46;C30B25/16;H01L21/67
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超
地址: 528200 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 外延 晶片 冷却系统 方法 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种外延炉晶片冷却系统,用于冷却晶片(6),包括预抽真空腔(1)和供气装置(2),所述供气装置(2)安装在所述预抽真空腔(1)上,所述供气装置(2)用于释放吹扫气体,其特征在于,所述晶片(6)冷却系统还包括:

冷却装置(3),设置在所述预抽真空腔(1)内,用于冷却所述吹扫气体;

第一测温装置(4),用于测量所述晶片(6)的温度;

控制器(5),用于控制所述供气装置(2)释放所述吹扫气体以冷却所述晶片(6),还用于在所述晶片(6)的温度小于或等于预设的第一阈值时,控制所述冷却装置(3)冷却所述吹扫气体。

2.根据权利要求1所述的外延炉晶片冷却系统,其特征在于,所述控制器(5)还用于在所述晶片(6)的温度小于预设的第二阈值时,控制所述冷却装置(3)停止冷却所述吹扫气体。

3.根据权利要求1所述的外延炉晶片冷却系统,其特征在于,所述冷却装置(3)包括:

若干液冷板(31),设置在所述供气装置(2)和所述晶片(6)之间,用于导流所述吹扫气体;

冷却液提供装置(32),与所述液冷板(31)连接,用于为所述液冷板(31)循环提供冷却液以带走所述液冷板(31)的热量。

4.根据权利要求3所述的外延炉晶片冷却系统,其特征在于,所述液冷板(31)上设有多个通孔(311),当所述液冷板(31)的数量为多个时,相邻的所述液冷板(31)的所述通孔(311)为相互错开设置。

5.根据权利要求3所述的外延炉晶片冷却系统,其特征在于,所述冷却液提供装置(32)上设置有流量控制阀(7),所述控制器(5)还用于控制所述流量控制阀(7)改变所述冷却液提供装置(32)的冷却液流量,以使所述液冷板(31)内冷却液的流量随所述晶片(6)的温度下降而增大。

6.根据权利要求5所述的外延炉晶片冷却系统,其特征在于,所述外延炉晶片冷却系统还包括罩体(8)和第二测温装置,所述液冷板(31)设置在罩体(8)内,所述第二测温装置用于测量所述罩体(8)底端的温度,所述控制器(5)还用于根据所述晶片(6)的温度和所述罩体(8)底端的温度控制所述流量控制阀(7)改变所述冷却液提供装置(32)为所述液冷板(31)循环提供的所述冷却液的流量。

7.一种外延炉晶片冷却方法,用于冷却晶片(6),其特征在于,应用在外延炉晶片冷却系统中,所述晶片(6)冷却系统包括预抽真空腔(1)、供气装置(2)、冷却装置(3)和第一测温装置(4),所述供气装置(2)安装在所述预抽真空腔(1)上,所述供气装置(2)用于释放吹扫气体,所述冷却装置(3)与所述供气装置(2)连接,所述冷却装置(3)用于冷却所述吹扫气体,所述第一测温装置(4)用于测量所述晶片(6)的温度,所述外延炉晶片冷却方法包括以下步骤:

控制所述供气装置(2)释放所述吹扫气体以冷却所述晶片(6);

在所述晶片(6)的温度小于或等于预设的第一阈值时,控制所述冷却装置(3)冷却所述吹扫气体。

8.根据权利要求7所述的外延炉晶片冷却方法,其特征在于,所述外延炉晶片冷却方法还包括步骤:

在所述晶片(6)的温度小于预设的第二阈值时,控制所述冷却装置(3)停止冷却所述吹扫气体。

9.一种电子设备,其特征在于,包括处理器以及存储器,所述存储器存储有计算机可读取指令,当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时,运行如权利要求7-8任一项所述方法中的步骤。

10.一种存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求7-8任一项所述方法中的步骤。

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