[发明专利]一种集成ESD二极管的沟槽MOSFET优化工艺

说明书

本发明的一种集成ESD二极管的TRENCH MOSFET优化工艺，主要是应用于常规N管和P管的TRENCH MOSFET产品使用，使其产品本身抗静电能力得到提高的同时降低ISGS漏电级别，改进了目前集成ESD二极管的TRENCH MOSFET产品由于工艺流程不合理导致的ISGS漏电偏大现象，提出ESD本征多晶硅生长后先不进行P型杂质注入，而是先与BODY区高温一起热处理，经过高温处理后的本征多晶硅颗粒之间更加紧密，之后再进行P型杂质注入，ESD光刻，刻蚀，然后一起加工后续的步骤，利用最后一步的回流热处理进行ESD区域N+与P区形成，由于N+杂质推结阻力小，可以保证N+把整个多晶硅扩散透，保证ESD结构上N+区能合理把整个多晶硅层扩散透，形成只有横向结构的NPNPN管结构。

技术领域

本发明涉及TRENCH MOSFET产品制造技术领域，特别是涉及一种集成ESD二极管的TRENCH MOSFET优化工艺。

背景技术

沟槽型(TRENCH)金属-氧化层半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，MOSFET)由于其器件的集成度较高，导通电阻较低，具有较低的栅-漏电荷密度、较大的电流容量，因而其具有较低的开关损耗和较快的开关速度，被广泛地应用在低压功率领域。目前集成ESD二极管的TRENCH MOSFET产品的两种常规工艺流程如下，所述常规工艺包括六层光罩(含钝化层)，以下两种常规工艺流程均是以N管MOSFET为主进行说明的：

常规工艺流程一：硬掩膜层——打开沟槽——牺牲氧化——栅氧化——栅多晶淀积——回刻——淀积一定厚度TEOS氧化层——淀积ESD本征多晶硅——ESD多晶硅普注—— ESD多晶硅薄氧氧化——ESD多晶硅光刻，反刻——BODY注入——BODY高温退火——源区及ESD多晶硅光刻——源区注入——NDR退火(PMOS无需此步)——BPSG淀积、回流热处理——引线孔光刻、刻蚀——引线孔硅刻蚀——CT注入——RTA退火——TI/TIN 淀积及RTP退火——W淀积/AL,Cu淀积——金属刻蚀——钝化——减薄背金；

常规工艺流程二：硬掩膜层——打开沟槽——牺牲氧化——栅氧化——栅多晶淀积——回刻——BODY注入——淀积一定厚度的氮化硅和TEOS氧化膜——淀积ESD本征多晶硅——ESD多晶硅普注——ESD多晶硅薄氧氧化——ESD多晶硅光刻，反刻——BODY高温退火——源区及ESD多晶硅光刻——源区注入——NDR退火(PMOS无需此步)——BPSG 淀积、回流热处理——引线孔光刻、刻蚀——引线孔硅刻蚀——CT注入——RTA退火—— TI/TIN淀积及RTP退火——W淀积/AL,Cu淀积——金属刻蚀——钝化——减薄背金。