[发明专利]摄像设备和电子装置在审

专利信息
申请号: 202210146522.7 申请日: 2016-05-26
公开(公告)号: CN114584722A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 柳田刚志;滝沢正明;西村雄二;荒川伸一;中村雄吾;千叶洋平 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N5/355 分类号: H04N5/355;H04N5/3745;H04N5/378;H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 卫李贤;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 摄像 设备 电子 装置
【说明书】:

本发明涉及摄像设备和电子装置。其中,摄像设备可包括:像素,所述像素包括:第一光电转换器;第一传输晶体管,连接到所述第一光电转换器;第一电容,连接到所述第一传输晶体管;复位晶体管,连接到所述第一电容;第二光电转换器;第二传输晶体管,连接到所述第二光电转换器;第二电容,连接到所述第二传输晶体管;第三传输晶体管,连接在所述第一电容和所述第二电容之间;以及放大晶体管,连接到所述第一电容,其中,所述第一光电转换器的灵敏度比所述第二光电转换器的灵敏度高,并且其中,所述第二电容配置为接收电源电压。

本申请是申请日为2016年5月26日、发明名称为“摄像元件、驱动方法和电子设备”的申请号为201680031983.2的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及摄像元件、驱动方法和电子设备,且特别地,涉及能够以较低噪声摄取更清晰图像的摄像元件、驱动方法和电子设备。

背景技术

常规地,在诸如数码照相机或数码摄像机等包括摄像功能的电子设备,例如,使用诸如电子耦合器件(CCD:Charge Coupled Device)和互补金属氧化物半导体(CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器等固体摄像元件。固体摄像元件具有这样的像素:在该像素中,组合有用于执行光电转换的光电二极管(PD:photodiode)和多个晶体管,并且图像是基于从布置在图像表面上的多个像素输出的像素信号而被构建的,所述图像表面上形成有被摄体的图像。

例如,在专利文献1公开的摄像元件中,能够通过在硅化物形成过程中形成连接浮动扩散部和放大晶体管的栅极电极的配线而在窄区域中执行配线布置,以便扩大PD的数值孔径。

此外,专利文献2公开的摄像元件能够通过在光电二极管上设置用于将电容添加至电荷电压转换部的电荷累积部以便与光电二极管中的来自被摄体的光不能进入的区域重叠来提高图像的图像质量。

引用文献列表

专利文献

专利文献1:JP 2006-186187A

专利文献2:JP 2014-112580A

发明内容

本发明要解决的技术问题

顺便提及地,近年来,需要进一步增强摄像元件的功能,且例如,需要即使在低照度环境中(例如,在黑暗中)也能以较低噪声获得更清晰图像。

本发明是鉴于上述情况而被做出的,且本发明能够以较低噪声摄取更清晰图像。

技术问题的解决方案

根据本发明的第一方面的摄像元件包括像素,所述像素包括:光电转换部,其被配置成通过光电转换将入射光转换为电荷且累积所述电荷;电荷传输单元,其被配置成传输在所述光电转换部中产生的所述电荷;扩散层,所述电荷通过所述电荷传输单元被传输至所述扩散层,且所述扩散层具有预定存储电容;转换单元,其被配置成将传输至所述扩散层的所述电荷转换为像素信号;以及连接配线,其被配置成连接所述扩散层和所述转换单元。所述连接配线通过接触配线而被连接至所述扩散层和所述转换单元,所述接触配线相对于半导体基板沿垂直方向延伸,所述扩散层被形成在所述半导体基板上,并且所述连接配线被形成得比设置在所述像素中的其他配线更接近所述半导体基板。

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