[发明专利]一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210148227.5 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114725194A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;陈怡霖;朱青;张濛;郭思音;田晓坤;宓珉瀚 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 下场 调制 低压 终端 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，包括：
衬底层；
缓冲层，位于所述衬底层上；
沟道层，位于所述缓冲层上；
源极，位于所述沟道层的一端；
漏极，位于所述沟道层的另一端；
插入层，位于所述沟道层上，且位于所述源极和所述漏极之间；
势垒层，位于所述插入层上；其中，沿着栅宽方向，在所述势垒层、所述插入层和所述沟道层内间隔设置有若干凹槽，所述凹槽的底部位于所述沟道层内；
钝化层，位于所述势垒层上，其中，沿着所述栅宽方向，设置有贯穿所述钝化层的栅槽，且若干所述凹槽位于所述栅槽下；
栅极，位于若干所述凹槽和所述栅槽中，以及部分所述钝化层的表面；
其中，所述凹槽靠近所述源极的边长大于其靠近所述漏极的边长。
2.根据权利要求1所述的基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，所述凹槽与未刻蚀区域呈周期性排列。
3.根据权利要求2所述的基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，在一个周期内所述凹槽和所述未刻蚀区域的面积比为1：1。
4.根据权利要求1所述的基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，所述凹槽靠近所述源极的边与其邻边的夹角的范围为70°～90°。
5.一种基于栅下场调制的低压终端器件的制备方法，其特征在于，包括：
S1：在衬底层上依次生长缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；
S2：在所述沟道层上的一端制备源极，另一端制备漏极；
S3：在所述势垒层上生长钝化层；
S4：沿栅宽方向，刻蚀位于所述源极和所述漏极之间的所述钝化层，形成贯穿所述钝化层的栅槽；
S5：刻蚀位于所述栅槽下方的所述势垒层、所述插入层和所述沟道层，形成沿所述栅宽方向间隔排列的若干凹槽；
S6：在若干所述凹槽中、所述栅槽中和部分所述钝化层上沉积栅金属，形成栅极；
S7：制备所述源极和所述漏极之间的金属互联层；
其中，所述凹槽的底部位于所述沟道层内，所述凹槽靠近所述源极的边长大于其靠近所述漏极的边长。
6.根据权利要求5所述的基于栅下场调制的低压终端器件的制备方法，其特征在于，在所述S5中，所述凹槽与未刻蚀区域呈周期性排列，且在一个周期内所述凹槽和所述未刻蚀区域面积比为1：1。
7.根据权利要求5所述的基于栅下场调制的低压终端器件的制备方法，其特征在于，在所述S5中，所述凹槽靠近所述源极的边与其邻边的夹角的范围为70°～90°。
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