[发明专利]一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器

说明书

本发明提供一种加速关断的阻断型浪涌保护器，包括：第一晶体管，其漏极连接第一端口；第二晶体管，其漏极与第一晶体管的源极连接，其源极与第一晶体管的栅极连接，且其源极还连接第二端口；第一电阻，连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间；加速关断模块，连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间。所述加速关断模块在出现浪涌时自身流过的电流为所述第二晶体管栅极寄生电容充电，使所述第二晶体管的栅极电压快速上升，提高所述阻断型浪涌保护器的关断速度。通过在电路中引入加速关断模块来大幅提升阻断型浪涌保护器的关断速度，减少关断过程中流向输出端的电流，为后级负载提供更精细、优良的浪涌保护。

技术领域

本发明涉及浪涌保护技术领域，尤其涉及一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器。

背景技术

电子线路中会出现由于雷击、电力线搭接、电力线感应或者地弹引起的电源浪涌或瞬态过压。当浪涌足够高时，可能会对计算机、电话等电子设备造成严重的损害。同样它会减少设备的寿命。

目前市场上对于计算机和其它高速数据传输线路会选择阻断型浪涌保护器对后端负载进行保护。阻断型浪涌保护器与负载串联从而对负载实现特性地保护。当它达到触发值后，它会改变状态，从而使得浪涌重新定向经过气体放电管等初级防护通路流出，实现阻断瞬态浪涌进入被保护设备。

现有技术中的阻断型浪涌保护器构造如图1所示，由第一晶体管M1、第二晶体管M2、第一电阻R1组成。第一晶体管M1为耗尽型NMOS，第二晶体管M1为P型JFET，第一电阻R1常为多晶硅电阻。其第一晶体管M1漏极与第二晶体管M2栅极通过第一电阻R1相连，第一电阻R1一般为数百kΩ，起到在阻断型浪涌保护器关断期间的限流作用。但是同时，第一电阻R1与其相连的第二晶体管M2的栅极寄生电容构成了串联RC电路，由于电阻阻值较大，使得串联RC电路时间常数较大，栅极寄生电容充电速度慢，从而使得第二晶体管M2的栅极电压上升较慢，导致阻断型浪涌保护器关断速度较慢，通常需要经过约1us的时间才可完全进入关断状态，而在此过程中浪涌电流依旧可以通过阻断型浪涌保护器流向被保护负载，对于负载电路的安全存在风险。

发明内容

本文旨在发明一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，通过在电路中引入加速关断模块来大幅提升阻断型浪涌保护器的关断速度，减少关断过程中流向输出端的电流，为后级负载提供更精细、优良的浪涌保护。

一种具有加速关断的阻断型浪涌保护器，设置于第一端口和第二端口之间，包括：第一晶体管，第一晶体管的漏极连接第一端口；第二晶体管，第二晶体管的漏极与第一晶体管的源极连接，第二晶体管的源极与第一晶体管的栅极连接，且第二晶体管的源极连接第二端口；第一电阻，第一电阻连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间；加速关断模块，加速关断模块连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间；所述加速关断模块在出现浪涌时自身流过的电流为所述第二晶体管栅极寄生电容充电，使所述第二晶体管的栅极电压快速上升，提高所述阻断型浪涌保护器的关断速度。

进一步的，加速关断模块包括：电容，电容连接于第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极之间；阻断型浪涌保护器的电流从第一端口流向第二端口。

进一步的，加速关断模块包括：第一二极管，第一二极管的正极与第二晶体管的栅极连接，第一二极管的负极与第一晶体管的漏极连接；阻断型浪涌保护器的电流从第一端口流向第二端口。