[发明专利]存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器阵列，其特征在于，包括：

多个存储单元，所述存储单元构成m行×n列的阵列，各所述存储单元均包括：串联的选择管和存储管；

多条沿列所在方向间隔排布的位线，其中，同一列的所述存储管的漏极均连接在对应的一所述位线上；

多条沿行所在方向间隔排布的存储管字线；以及，

多条沿行所在方向间隔排布的选择管字线，其中，所述存储管字线与所述选择管字线交替排布，同一行的所述存储管的栅极均连接对应的一所述存储管字线，各所述选择管的源极和栅极相连接并且同一行的所述选择管的栅极均连接对应的一所述选择管字线，所有的所述存储单元共用一个阱区；

通过对所述选择管的栅极连接的所述选择管字线、所述存储管的栅极连接的所述存储管字线和所述存储管的漏极连接的所述位线施加一定的电压实现对所述存储位单元的擦除、编程和读取。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于，定义所述选择管字线上加载的电压为Vwl、所述存储管字线上加载的电压为Vwls、所述位线上加载的电压为Vbl、所述阱区上加载的电压为Vbpw；

定义Vpos为第一正电压、Vneg为负电压、Vpwr为所述选择管的开启电压、Vgnd为地位电压、Vp0为第二正电压；

擦除操作时，采用行操作模式，选中行和非选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl均为Vpwr；选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为Vneg；非选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为Vpos；所有列的所述存储管的漏极连接的Vbl均为Vpos；阱区上加载的电压Vbpw为Vpos；

编程写入操作时，采用行操作模式，在写入数据“1”时，选中行和非选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl均为Vneg；选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为Vpos；非选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为Vneg；同一列的所述存储管的漏极连接的Vbl为Vneg阱区上加载的电压Vbpw为Vneg；在写入数据“0”时，选中行和非选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl均为Vneg；选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为Vpos；非选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为Vneg；同一列的所述存储管的漏极连接的Vbl为Vp0；阱区上加载的电压Vbpw为Vneg；

读取操作时，选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl为Vpwr；非选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl为Vgnd；选中行和非选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls均为Vgnd；选中列和非选中列的所述存储管的漏极连接的Vbl均为Vgnd；阱区上加载的电压Vbpw为Vgnd。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其特征在于，Vp0的数值小于Vpos以使完成写入“0”操作后的所述存储管的存储状态不变。

4.根据权利要求2所述的存储器阵列，其特征在于，Vpos为4V～12V；Vneg为-8V～-2V；Vpwr为0V～3V；Vp0＜Vpos。

5.根据权利要求4所述的存储器阵列，其特征在于，Vpos为7V；Vneg为-4V；Vpwr为2V；Vp0为1.6V。

6.根据权利要求5所述的存储器阵列，其特征在于，

擦除操作时，采用行操作模式，选中行和非选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl均为2V；选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为-4V；非选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为7V；所有列的所述存储管的漏极连接的Vbl均为7V；阱区上加载的电压Vbpw为7V；

编程写入操作时，采用行操作模式，在写入数据“1”时，选中行和非选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl均为-4V；选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为7V；非选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为-4V；同一列的所述存储管的漏极连接的Vbl为-4V；阱区上加载的电压Vbpw为-4V；在写入数据“0”时，选中行和非选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl均为-4V；选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为7V；非选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls为-4V；同一列的所述存储管的漏极连接的Vbl为1.6V；阱区上加载的电压Vbpw为-4V；

读取操作时，选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl为2V；非选中行的所述选择管的栅极连接的Vwl为0V；选中行和非选中行的所述存储管的栅极连接的Vwls均为0V；选中列和非选中列的所述存储管的漏极连接的Vbl均为0V；阱区上加载的电压Vbpw为0V。