[发明专利]一种块体热电材料的后处理方法在审
| 申请号： | 202210150223.0 | 申请日： | 2022-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114639769A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;张鸣奇;杨东旺;鄢永高;苏贤礼 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;B22F3/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李欣荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 块体 热电 材料 处理 方法 | ||
1.一种块体热电材料的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将块体热电材料内嵌于中空塑性环套中，得待压样品；
2)将待压样品整体进行加热，保温；
3)对步骤2)所得加热样品施加压力，进行压制，即得后处理的块体热电材料。
2.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述塑性环套的中空结构与块体热电材料的形状和规格相匹配。
3.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述块体热电材料具有规则形状。
4.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，步骤1)所述块体热电材料的致密度为80％以上。
5.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述块体热电材料为Bi2Te3基化合物；MCdInSe3基化合物，其中M＝Cu或Ag；SnQ基化合物，Q＝S、Se或Te；CoSb3基化合物；half-Heusler合金；Cu2Q基化合物，Q＝S、Se或Te；Ag2Q基化合物，Q＝S、Se或Te；InSe基化合物；MgAgSb基化合物；或Mg3Sb2基化合物。
6.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述块体热电材料与中空塑性环套之间采用BN喷剂或耐高温无机胶水粘结。
7.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述加热温度为50～600℃，保温时间为30～60min。
8.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述压制速率为0.01～10mm/s。
9.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述施加压力为30～1000MPa；压力方向沿块体热电材料的轴向。
10.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，步骤3)所述压制过程中，块体热电材料沿压力方向的压缩比为5％以上。
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