[发明专利]多级式GaN HEMT驱动电路及其工作方法

权利要求书

1.多级式GaNHEMT驱动电路，其特征在于，包括驱动电源V_cc1、N型MOSFET Q₁和P型MOSFETQ₂串联而成的推挽电路、电阻R₃和二极管D₁串联而成的充放电回路、电阻R₄以及电容C₁；

其中电阻R₄为充放电回路的限流电阻，电源V_cc3、三极管B₁以及电阻R₅串联，其中电源V_cc2、电阻R₆串联为三极管上拉电路，构成二级电流补充电路；比较器Z₁构成用于拓展电路的比较器电路；电容C₁一端与GAN HEMT栅极相连，另一端与GAN HEMT源极相连；

其中，所述二级电流补充电路包括三极管B₁、连接在三极管B₁发射极和GaN HEMT源极的之间的电阻R₅、连接在三极管B₁基极和源V_CC2之间的电阻R₆以及连接在三极管B₁集电极的电源V_CC3；其中，三极管B₁集电极与电源V_cc3相连，发射极与电阻R₅相连，基极与电阻R₆相连；电阻R₅一端与三极管B₁发射极相连，另一端与GAN HEMT栅极相连；电阻R₆一端与三极管B₁基极相连，另一端与电源V_cc2相连；

所述比较器电路包括比较器Z₁和电阻R₆；其中比较器Z₁负输入端与电阻R₁、R₂并联且与外部PWM输入信号相连，正输入端与参考电压V_ref相连，输出端与电阻R₆一端相连且与电源V_cc2相连。

2.根据权利要求1所述的多级式GaN HEMT驱动电路，其特征在于，所述推挽电路：N型MOSFET Q₁漏极与驱动电源V_cc1相连，源极与P型MOSFET Q₂漏极相连，栅极与输入电阻R₁相连；P型MOSFET Q₂漏极与N型MOSFET Q₁源极相连，栅极与输入电阻R₂相连，源极接地。

3.根据权利要求2所述的多级式GaN HEMT驱动电路，其特征在于，输入电阻R₁与输入电阻R₂并联，且输入电阻R₁一端与外部PWM输入信号相连，另一端与N型MOSFET Q₁的栅极相连；输入电阻R₂一端与输入电阻R₁并联，另一端与P型MOSFET Q₂栅极相连。

4.根据权利要求1所述的多级式GaN HEMT驱动电路，其特征在于，电阻R₄一端与电阻R₃并联，另一端与GANHEMT栅极相连；电阻R₃一端与Q₁、Q₂连接处相连，另一端与二极管D₁阴极相连接；二极管D₁阳极与GAN HEMT栅极相连。