[发明专利]一种提高结合力的金属布线层结构及制备方法

权利要求书

1.一种提高结合力的金属布线层结构，其特征在于，包括基片(100)、嵌入金属(1)、金属布线层(2)、第一绝缘介质层(5)、第二绝缘介质层(6)和微凸点结构；

所述基片(100)为来料芯片，基片(100)的顶层有基片钝化层(4)，并开有窗口将基片pad(3)露出；嵌入金属(1)设置在基片钝化层(4)的上方，嵌入金属(1)嵌入到第一绝缘介质层(5)内，金属布线层(2)位于第一绝缘介质层(5)和嵌入金属(1)的上方，金属布线层(2)与基片pad(3)金属互连；

第二绝缘介质层(6)位于金属布线层(2)上方，微凸点结构位于第二绝缘介质层(6)上方，微凸点结构与金属布线层(2)金属互连。

2.根据权利要求1所述的一种提高结合力的金属布线层结构，其特征在于，所述微凸点结构为微凸点下金属层(7)和微凸点(8)；

微凸点下金属层(7)位于第二绝缘介质层(6)上方，微凸点下金属层(7)与金属布线层(2)金属互连；微凸点(8)位于微凸点下金属层(7)上方。

3.根据权利要求1所述的一种提高结合力的金属布线层结构，其特征在于，所述微凸点结构为微凸点柱(9)，微凸点柱(9)位于第二绝缘介质层(6)上方，微凸点柱(9)与金属布线层(2)金属互连。

4.根据权利要求1所述的一种提高结合力的金属布线层结构，其特征在于，所述嵌入金属(1)的形状为矩形、三角形或网状图形。

5.根据权利要求1所述的一种提高结合力的金属布线层结构，其特征在于，所述嵌入金属(1)的厚度小于5μm。

6.根据权利要求1所述的一种提高结合力的金属布线层结构，其特征在于，第一绝缘介质层(5)和第二绝缘介质层(6)采用光敏有机材料、非光敏有机材料或无机介质材料。

7.一种提高结合力的金属布线层结构，其特征在于，包括转接基板(200)、嵌入金属(1)、金属布线层(2)、微凸点结构、正面金属布线层(23)、第一背面绝缘介质层(24)、第二背面绝缘介质层(25)和第三背面绝缘介质层(26)；

所述转接基板(200)上设置有导电填充通孔(21)，导电填充通孔(21)内部填充设置有TSV孔壁绝缘介质层(22)，转接基板(200)的背面设置有第一背面绝缘介质层(24)，第一背面绝缘介质层(24)将导电填充通孔(21)露出，

嵌入金属(1)设置在第一背面绝缘介质层(24)的上方，嵌入金属(1)嵌入到第二背面绝缘介质层(25)内，金属布线层(2)位于第二背面绝缘介质层(25)和嵌入金属(1)的上方，正面金属布线层(23)和金属布线层(2)通过导电填充通孔(21)金属互连；

第三背面绝缘介质层(26)位于金属布线层(2)上方，微凸点结构位于第三背面绝缘介质层(26)上方，微凸点结构与金属布线层(2)金属互连。

8.一种提高结合力的金属布线层结构的制备方法，其特征在于，包括以下过程，

基片(100)表面有钝化层(4)，并开有窗口将基片pad(3)露出；

基片钝化层(4)表面涂覆一层第一绝缘介质层(5)，并通过光刻将嵌入金属(1)的图形制备于第一绝缘介质层(5)上，在第一绝缘介质层(5)上嵌入金属(1)；

在第一绝缘介质层(5)上制备金属布线层(2)；在金属布线层(2)上制备第二绝缘介质层(6)；在第二绝缘介质层(6)上制备微凸点结构，微凸点结构与金属布线层(2)金属互连。

9.根据权利要求8所述的一种提高结合力的金属布线层结构的制备方法，其特征在于，当嵌入金属(1)未超出金属布线层(2)的图形范围时，金属布线层(2)和嵌入金属(1)同时进行制备。

10.根据权利要求8所述的一种提高结合力的金属布线层结构的制备方法，其特征在于，嵌入金属(1)制备选用大马士革工艺或先图形化再电镀增厚的方法。