[发明专利]分栅快闪存储单元的制备方法

权利要求书

1.一种分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成浮栅材料层及介质层；

刻蚀所述介质层及所述浮栅材料层以形成显露所述衬底的开口；

在所述开口内填充擦除栅；

在所述擦除栅及所述介质层上形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀所述介质层及所述浮栅材料层以显露出所述衬底，剩余的浮栅材料层作为浮栅；

去除所述图形化的光刻胶层，在所述介质层及所述浮栅远离所述擦除栅的一侧形成字线栅；以及，

在所述衬底上形成钝化层以及在所述钝化层上形成字线栅电连接件及擦除栅电连接件，所述钝化层覆盖所述衬底、所述字线栅、所述介质层及所述擦除栅，所述字线栅电连接件及所述擦除栅电连接件穿过所述钝化层并分别与所述字线栅及所述擦除栅电性连接。

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，形成所述开口的步骤包括：

刻蚀所述介质层以形成显露出所述浮栅材料层的第一开口；以及，

在所述第一开口的侧壁上形成第一氧化层，以所述第一氧化层为掩模刻蚀所述浮栅材料层以形成显露出所述衬底的第二开口，所述第一开口和所述第二开口连通构成所述开口。

3.如权利要求2所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，在形成所述开口之后，刻蚀去除所述第一氧化层，以及在所述开口的内壁上形成第二氧化层。

4.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，在形成所述开口之后，还包括对所述开口的底部的衬底进行离子注入以在所述衬底中形成源区。

5.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，所述介质层的材质包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，在所述开口内填充擦除栅之后，形成所述图形化的光刻胶层之前，还包括：

在所述擦除栅及所述介质层上形成第三氧化层。

7.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，在所述介质层及所述浮栅远离所述擦除栅的一侧形成字线栅之前，还包括在所述介质层及所述浮栅远离所述擦除栅的一侧形成第四氧化层，所述字线栅覆盖所述第四氧化层的至少部分表面。

8.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，在所述介质层及所述浮栅远离所述擦除栅的一侧形成字线栅之后，还包括：

分别对字线栅的外侧的衬底进行离子注入以在所述衬底中形成漏区。

9.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，形成所述字线栅电连接件及所述擦除栅电连接件的步骤包括：

刻蚀所述钝化层以在所述钝化层中形成分别显露出所述字线栅及所述擦除栅的字线栅接触孔及擦除栅接触孔；以及，

在所述字线栅接触孔及所述擦除栅接触孔中填充金属材料以分别形成字线栅插塞及擦除栅插塞，在所述钝化层上形成字线栅金属图案及擦除栅金属图案，所述字线栅金属图案与所述字线栅插塞电性连接以构成所述字线栅电连接件，所述擦除栅金属图案与所述擦除栅插塞电性连接以构成所述擦除栅电连接件。

10.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，所述字线栅电连接件及所述擦除栅电连接件沿同一方向呈直线延伸。