[发明专利]一种低功耗的MOS管温度传感器电路

权利要求书

1.一种低功耗的MOS管温度传感器电路，包括检测温度模块和分压模块，其特征在于：

所述检测温度模块包括完全相同的2个PMOS管和完全相同的m+2个NMOS管，m≥10，构成小电流支路I₁和大电流支路I₂两条支路；

小电流支路I₁支路，包括m个NMOS管和PMOS管MP₁；PMOS管MP₁的源极接外部电源，MP₁栅极与漏极短接在一起，且MP₁的漏极接在第m NMOS管MA_m的漏极上；小电流支路I₁的m个NMOS管分别为第一NMOS管MA₁、第二NMOS管MA₂、依此直至第mNMOS管MA_m，按编号从大至小以在前的NMOS管源极接在后NMOS管漏极的方式依次串联构成；第一NMOS管MA₁的源极接地；

大电流支路I₂支路包括第m+1NMOS管MB₂、第m+2NMOS管MB₁和PMOS管MP₂；PMOS管MP₂的源极接外部电源，MP₂栅极与漏极短接在一起；MP₂的漏极接第m+1NMOS管MB₂的漏极上，第m+1NMOS管MB₂的源极接第m+2NMOS管MB₁的漏极，第m+2NMOS管MB₁的源极接地；且第m+1NMOS管MB₂的栅极接第m NMOS管MA_m的栅极，第m+2NMOS管MB₁的栅极接第一NMOS管MA₁的栅极；

检测温度模块连接外部电源和地，输入端接分压模块，PMOS管MP₁和MP₂分别构成的电流镜作为输出端复制并输出；

所述分压模块由n个PMOS管构成，n≥12，各PMOS管的栅极和漏极短接形成二极管连接形式，n个PMOS管按编号大小以在前的PMOS管漏极接在后PMOS管源极的方式依次串联构成；对于第一个PMOS管P₁，其源极接基准电压作为分压模块的输入端，第n个PMOS管P_n的漏极接地；

第i个PMOS管P_i的漏极接第m NMOS管MA_m栅极，1≤in，以在后的PMOS管P_i+1的漏极接I₁支路在前NMOS管MA_m-1的栅极，第i+m-1PMOS管P_i+m-1接第一NMOS管MA₁栅极，i+mn；PMOS管P_i至P_i+m-1的栅极作为分压模块的输出端接检测温度模块，分压模块把基准电压提供的300～600mV的电压分压成需要的电压值。

2.如权利要求1所述低功耗的MOS管温度传感器电路，其特征在于：所述n个PMOS管完全相同，以均分基准电压。

3.如权利要求1所述低功耗的MOS管温度传感器电路，其特征在于：所述基准电压提供的电压为300～600mV，以进一步的降低功耗。