[发明专利]一种外腔式窄线宽1064nm半导体激光器

权利要求书

1.一种外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，包括准直器光纤(8)、封装管壳(12)以及设于所述封装管壳(12)内的光增益芯片(1)、准直透镜(3)、FP标准具(4)、窄带滤光片(5)、光半透反射镜(6)、隔离器(7)、第一陶瓷电路(9)、第二陶瓷电路(10)、半导体制冷器(11)，所述准直器光纤(8)设于所述封装管壳(12)的一端；

所述热敏电阻(2)设于所述封装管壳(12)内且用于实时监控温度，所述光增益芯片(1)发射出的宽光谱依次经过所述准直透镜(3)、所述FP标准具(4)、所述窄带滤光片(5)、所述光半透反射镜(6)、所述隔离器(7)而进入所述准直器光纤(8)，所述光增益芯片(1)的高反面与所述光半透反射镜(6)的反射面形成谐振腔且用于将所述光增益芯片(1)产生的光谱转换为1064nm；

所述光增益芯片(1)与所述第一陶瓷电路(9)连接，所述第二陶瓷电路(10)与所述半导体制冷器(11)连接，所述半导体制冷器(11)用于对整个半导体激光器进行散热。

2.根据权利要求1所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述光增益芯片(1)焊接于所述封装管壳(12)的底部且用于产生1040～1080nm宽光谱。

3.根据权利要求1所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述准直透镜(3)固定于所述封装管壳(12)的底部且用于对所述光增益芯片(1)产生的宽光谱进行耦合准直。

4.根据权利要求3所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述FP标准具(4)固定于所述封装管壳(12)的底部且用于将经所述准直透镜(3)耦合后的宽光谱平行光转换为自由光谱范围间隔一致的多波峰宽光谱平行光。

5.根据权利要求4所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述窄带滤光片(5)固定于所述封装管壳(12)的底部且用于将所述多波峰平行光转换为单波峰平行光。

6.根据权利要求1所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述光半透反射镜(6)固定于所述封装管壳(12)的底部且用于对所述单波峰平行光产生谐振。

7.根据权利要求1所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述隔离器(7)固定于所述封装管壳(12)的底部且与所述准直器光纤(8)耦合损耗最低。

8.根据权利要求1所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述半导体制冷器(11)设于所述封装管壳(12)的底部，且所述光增益芯片(1)、所述准直透镜(3)、所述FP标准具(4)、所述窄带滤光片(5)、所述光半透反射镜(6)及所述隔离器(7)均设于所述导体制冷器(11)上。

9.根据权利要求1所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述准直透镜(3)、所述FP标准具(4)、所述窄带滤光片(5)、所述光半透反射镜(6)及所述隔离器(7)的中心的连线为直线。

10.根据权利要求1所述的外腔式窄线宽1064nm半导体激光器，其特征在于，所述封装管壳(12)的边角处均设有挂耳。