[发明专利]接合方法在审
申请号: | 202210156965.4 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN114664675A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 三原辉仪 | 申请(专利权)人: | 马瑞利株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;李少丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 方法 | ||
1.一种接合方法,其特征在于,包括:
氧离子传导体层形成工序,在具有金属的第一被接合材料和具有陶瓷的第二被接合材料中的一方的表面形成氧离子传导体层;
配置工序,将所述第一被接合材料和所述第二被接合材料以两者夹着所述氧离子传导体层而接触的方式配置;
连接工序,将所述第一被接合材料连接至电压施加装置的正极侧和负极侧中的一方,并且将所述第二被接合材料连接至电压施加装置的正极侧和负极侧中的另一方;以及
电压施加工序,在所述第一被接合材料和所述第二被接合材料之间施加电压而接合所述第一被接合材料和所述第二被接合材料,
所述第一被接合材料和所述第二被接合材料中的一方在其表面具有金属镀层,所述金属镀层在其表面具有氧化物层,
在所述氧离子传导体层形成工序中,所述氧离子传导体层形成于所述第一被接合材料和所述第二被接合材料中的另一方的表面,
在所述配置工序中,所述第一被接合材料和所述第二被接合材料被配置为两者夹着所述氧化物层和所述氧离子传导体层而接触,
在所述连接工序中,在所述第一被接合材料和所述第二被接合材料中设置有所述金属镀层的一方连接至电压施加装置的负极侧,另一方连接至正极侧。
2.一种接合方法,其特征在于,包括:
氧离子传导体层形成工序,在具有金属的第一被接合材料和具有陶瓷的第二被接合材料中,在所述第一被接合材料的表面形成氧离子传导体层,所述第二被接合材料在其表面具有金属镀层,所述金属镀层在其表面具有氧化物层;
配置工序,将所述第一被接合材料和所述第二被接合材料以两者夹着所述金属镀层和所述氧离子传导体层而接触的方式配置;
连接工序,将所述第一被接合材料连接至电压施加装置的正极侧,并且将所述第二被接合材料连接至电压施加装置的负极侧;以及
电压施加工序,在所述第一被接合材料和所述第二被接合材料之间施加电压而接合所述第一被接合材料和所述第二被接合材料。
3.根据权利要求1或2所述的接合方法,其中,
所述电压施加工序在所述陶瓷的电阻率ρ(Ω·cm)成为由下述的式(A)给出的值以下的温度下进行,
[数1]
其中,q为基本电荷(1.6×10-19(C)),d为所述陶瓷的厚度(cm),Ns为所述氧离子传导体的表面的原子的面密度(cm-2),V为在所述第一被接合材料和所述第二被接合材料之间施加的电压(V),t为接合时间(s)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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