[发明专利]显示面板及其制备方法、电子设备在审
申请号: | 202210158106.9 | 申请日: | 2022-02-21 |
公开(公告)号: | CN114664901A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 刘金贵;王明晖;董竞文 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 230001 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 电子设备 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、电子设备,显示面板包括基板、像素定义层和隔离壁;像素定义层设于基板的一侧,像素定义层上设有多个像素蒸镀区域;隔离壁设于像素定义层远离基板的一侧且位于相邻的像素蒸镀区域之间;隔离壁具有相对的第一表面和第二表面,第一表面和/或第二表面具有凹陷部或具有凸起部或为内斜面;隔离壁用于将蒸镀于相邻的像素蒸镀区域之间的有机发光层阻断,以降低混色风险。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、电子设备。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)是一种显示屏技术。
现有的,AMOLED的有机发光层采用FMM(Fine Metal Mask,精细金属掩膜板)有机蒸镀发光材料作为像素点,单个像素分为R(红)、G(绿)、B(蓝)三个子像素,子像素之间周期间距称为PDL Gap。正常显示的PDL Gap距离足够大,相邻子像素之间的蒸镀材料无Overlap风险,即相邻子像素之间无混色风险。随着高分辨率显示需求越来越高,同时也为了提高像素寿命,需要减小子像素的PDL Gap。随着PDL Gap越来越小,受FMM和蒸镀工艺的限制,相邻子像素之间出现混色的风险越来越高,影响发光区域色坐标和精准显示。
发明内容
本申请提供的显示面板及其制备方法、电子设备,解决现有技术中相邻子像素之间出现混色的技术问题。
为了解决上述技术问题,本申请提供的第一个技术方案为:提供一种显示面板,包括:基板、像素定义层和多个隔离壁;所述像素定义层设于所述基板的一侧,所述像素定义层上设有多个像素蒸镀区域;所述隔离壁设于所述像素定义层远离所述基板的一侧且位于相邻的所述像素蒸镀区域之间,所述隔离壁具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面和/或所述第二表面具有凹陷部或具有凸起部或为内斜面;其中,所述隔离壁用于将蒸镀于相邻的所述像素蒸镀区域之间的有机发光层阻断。
其中,所述显示面板还包括支撑柱,所述支撑柱设于所述像素定义层远离所述基板的表面,所述支撑柱设于所述像素蒸镀区域的周边,所述支撑柱用于支撑蒸镀所述有机发光层时用的掩膜板;
优选地,所述隔离壁设于相邻的两个所述支撑柱之间;
更优选地,所述隔离壁设于相邻的两个所述支撑柱之间且所述隔离壁远离所述像素定义层的一侧设置有与所述支撑柱的材料相同的材料。
其中,所述显示面板还包括支撑柱,所述支撑柱设于所述像素定义层远离所述基板的一侧,所述支撑柱用于支撑蒸镀所述有机发光层时用的掩膜板;所述隔离壁设于所述支撑柱的内部;
优选地,所述支撑柱包括第一支撑段和第二支撑段,所述隔离壁设于所述第一支撑段与所述第二支撑段之间;所述第一支撑段与所述像素定义层接触,所述第二支撑段用于支撑蒸镀所述有机发光层时用的掩膜板。
其中,所述隔离壁环绕所述像素蒸镀区域设置。
其中,所述第一表面和/或第二表面具有凸起部,所述凸起部位于所述隔离壁的顶端或中端,以使所述第一表面和/或所述第二表面形成凸起面;
或,所述第一表面和/或第二表面具有凹陷部,以使所述第一表面和/或所述第二表面形成凹面;
或,所述第一表面和/或第二表面为内斜面,所述第一表面和/或所述第二表面与所述像素定义层的夹角小于80度。
其中,所述隔离壁的材料为无机材料;
优选地,所述隔离壁的材料为氮化硅。
为了解决上述技术问题,本申请提供的第二个技术方案为:提供一种电子设备,包括上述任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的