[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202210159961.1 | 申请日: | 2022-02-22 |
公开(公告)号: | CN115084194A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 康东镇;李昌熙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;张晓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一单元像素,包括多个发光二极管;以及第二单元像素,包括多个发光二极管和光检测器二极管。多个发光二极管中的每个包括第一电极、面对第一电极的第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的发射层,并且光检测器二极管包括第三电极、面对第三电极的第四电极、设置在第三电极与第四电极之间的活性层和设置在第四电极与活性层之间的滤色器层。
本申请要求于2021年3月15日提交的第10-2021-0033595号韩国专利申请的优先权和从其获得的所有权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及显示装置,更具体地,涉及包括光检测器二极管的显示装置。
背景技术
显示装置的使用已经多样化。此外,随着显示装置变得更薄且更轻,其使用范围变得更宽。
随着显示装置中的显示区域所占据的面积的增大,应用于或链接到显示装置的各种功能被添加到显示区域。作为将各种功能添加到扩展的显示区域的方法,持续进行着对在显示区域内部具有用于执行各种功能以及图像显示的区域的显示装置的研究。
发明内容
由于根据现有技术的显示装置包括光检测器二极管,因此发光区域的面积减小或者光检测器二极管的感测灵敏度劣化。
一个或更多个实施例包括包含光检测器二极管的显示装置,光检测器二极管被布置为使发光区域的面积的减小降低并且具有改善的感测灵敏度。然而,这是示例性的,根据发明的一个或更多个实施例的范围不限于此。
另外的方面将部分地在以下的描述中阐述,并且部分地将通过描述而明显,或者可以通过实践公开的呈现的实施例来获知。
根据一个或更多个实施例,显示装置包括:第一单元像素,包括多个发光二极管;以及第二单元像素,包括多个发光二极管和光检测器二极管,其中,多个发光二极管中的每个包括第一电极、面对第一电极的第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的发射层,并且光检测器二极管包括第三电极、面对第三电极的第四电极、设置在第三电极与第四电极之间的活性层和设置在第四电极与活性层之间的滤色器层。
根据实施例,第二单元像素可以包括第二-1单元像素和第二-2单元像素,第二-1单元像素的光检测器二极管的滤色器层可以包括第一颜色滤色器层,第一颜色滤色器层仅透射属于第一波长带的波长的光,并且第二-2单元像素的光检测器二极管的滤色器层可以包括第二颜色滤色器层,第二颜色滤色器层仅透射属于第二波长带的波长的光。
根据实施例,第一波长带可以为约630纳米(nm)至约850nm,并且第二波长带可以为约495nm至约570nm。
根据实施例,在平面图中,第一单元像素的面积可以与第二单元像素的面积相同。
根据实施例,第一单元像素和第二单元像素中的每个可以包括第一颜色发光区域、第二颜色发光区域和第三颜色发光区域,并且在平面图中,第一单元像素的第二颜色发光区域的面积可以大于第二单元像素的第二颜色发光区域的面积。
根据实施例,活性层可以包括本体异质结(“BHJ”)结构。
根据实施例,第一电极和第三电极可以设置在同一层并且可以包括相同的材料,并且第二电极和第四电极可以设置在同一层并且可以包括相同的材料。
根据实施例,第二电极和第四电极可以一体地设置。
根据实施例,多个发光二极管中的每个可以包括第一公共层和第二公共层中的至少一个,第一公共层设置在第一电极与发射层之间,第二公共层设置在第二电极与发射层之间,并且光检测器二极管可以包括第三公共层和第四公共层中的至少一个,第三公共层设置在第三电极与活性层之间,第四公共层设置在第四电极与活性层之间。
根据实施例,第一公共层和第三公共层可以一体地设置,并且第二公共层和第四公共层可以一体地设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的