[发明专利]一种适用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法

权利要求书

1.一种适用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，采取直流磁控溅射方法在凸面镜上生长Mo/Si周期性多层膜，其特征在于，凸面镜在直流磁控溅射生长腔中做溅射处理以清洁表面吸附气体和使得样品表面平整，从而得到高质量的样品，溅射清洗功率为5-10W，溅射清洗时间为5-10分钟；Mo，Si均由高能Ar⁺轰击进行溅射，通过分别控制直流溅射功率来控制两种元素的沉积速率；通过磁控溅射腔体中，Mo和Si源顶端的挡板连续切换控制实现Mo/Si周期性交替生长，最后一层生长1.5nm的Si层进行覆盖防止氧化。

2.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，磁控溅射腔体中需要有石英晶体振荡器作为原位的沉积速率定标手段。

3.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，直流磁控溅射腔室背景真空度需达到10^-7Torr量级。Mo、Si溅射生长时，凸面镜需保持5rpm的自转速度，无公转。

4.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，Mo、Si溅射生长时，凸面镜与靶材之间的距离需保持在100mm。

5.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，从两个靶材溅射出的粒子能均匀沉积到同一生长位置的凸面镜表面。

6.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，Mo靶的直流溅射功率为10W,Si靶的直流溅射功率为20W。

7.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，磁控溅射腔体中需要可以通以纯氩气的通气管道。

8.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，通入磁控溅射腔体内的氩气的纯度应当达到99.99％，Mo，Si两元素的溅射压强需控制在7mTorr左右。

9.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，凸面镜规格为Ф101.6*7.23mm，总体厚度为16.45mm，凹陷高度约为9mm，材质为JGS1。

10.根据权利要求1所述的用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，其特征在于，对中心波长为13.0nm的Mo/Si多层膜,Mo作为吸收层，Si作为间隔层；Mo/Si多层膜样品膜的周期厚度d为工作波长的0.51倍，3.5×0.51＝6.89nm；Γ＝0.4，其中Mo层2.76nm,Si层4.13nm；周期数N可取30-50，在本发明中优选N＝40。