[发明专利]一种多层结构的太赫兹径向功率分配/合成网络

权利要求书

1.一种多层结构的太赫兹径向功率分配/合成网络，其特征在于，包括依次连接的输入矩形波导、输入模式转换器、多层结构、输出模式转换器和输出矩形波导；

所述多层结构包括M层，各层通过贯穿的销钉进行连接；在第一、二层之间设置第一径向功率分配/合成器和沿第一径向功率分配/合成器外侧等夹角排布的N个第一弯波导，对称地，在第M-1、M层之间设置第二径向功率分配/合成器和N个第二弯波导；第三层至第M-2层为可拆除结构，之间设置N个功能结构，各第一弯波导通过对应功能结构与对应第二弯波导连接；所述功能结构用于实现功率放大或/和倍频。

2.根据权利要求1所述多层结构的太赫兹径向功率分配/合成网络，其特征在于，所述功能结构包括功能芯片、输入过渡结构、输出过渡结构和多个弯波导；当功能芯片采用垂直过渡传输时，第一弯波导依次通过输入过渡结构、功能芯片、输出过渡结构和两个弯波导连接至对应第二弯波导；当功能芯片采用水平过渡传输时，第一弯波导依次通过一个弯波导、输入过渡结构、功能芯片、输出过渡结构和三个弯波导连接至对应第二弯波导。

3.根据权利要求2所述多层结构的太赫兹径向功率分配/合成网络，其特征在于，所述功能芯片为功放芯片、倍频芯片或功放芯片和倍频芯片的级联结构。

4.根据权利要求1所述多层结构的太赫兹径向功率分配/合成网络，其特征在于，在输入模式转换器与多层结构的第一层之间，多层结构的第M层与输出模式转换器之间，多层结构的第二、三层之间，及多层结构的第M-2、M-1层之间，均设有扼流圈结构。

5.根据权利要求1所述多层结构的太赫兹径向功率分配/合成网络，其特征在于，各功能结构的功能芯片位于同一平面。