[发明专利]一种激光等离子体极紫外光源靶材的优化方法在审
| 申请号： | 202210166835.9 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114442441A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 徐永兵;陈笑;黎遥;钟文彬;严羽;侯鉴波;何亮;陆显扬 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 等离子体 紫外 光源 优化 方法 | ||
1.一种激光等离子体极紫外光源靶材优化方法，其特征是，通过电子束蒸发的方式在产生激光等离子体的靶材衬底上生长锡薄膜，形成有限质量的固体薄膜靶，通过控制锡层的厚度来控制激光单次作用所消耗的锡量；当高能量脉冲激光与靶材作用产生等离子体时，通过控制薄膜靶的锡量进而优化极紫外光产生的效率和碎屑的产生。
2.根据权利1要求所描述的一种极紫外光源靶材优化方法，其特征在于，所述固体薄膜靶材包括工作物质和衬底两部分。
3.根据权利1要求所描述的一种极紫外光源靶材优化方法，其特征在于，所述固体薄膜靶材的工作物质为锡。
4.根据权利1要求所描述的一种极紫外光源靶材优化方法，其特征在于，所述固体薄膜靶材的衬底为金属或半导体或非导体。
5.根据权利1-4要求任一项所描述的一种极紫外光源靶材优化方法，其特征在于，所述固体薄膜靶材的工作物质通过电子束蒸发的方法生长在衬底表面。
6.根据权利1-5要求任一项所描述的一种极紫外光源靶材优化方法，其特征在于，所述电子束蒸发生长薄膜的方式，是通过控制蒸发速率和蒸发时间的方式控制薄膜厚度。
7.根据权利1-6要求任一项所描述的一种极紫外光源靶材优化方法，其特征在于，所示固体薄膜靶材的衬底表面的工作物质厚度在1-1000nm之间。
8.根据权利1-7要求任一项所描述的一种极紫外光源靶材优化方法，其特征在于，所述等离子体由高能量的纳秒脉冲激光聚焦作用于薄膜靶材后产生。
9.根据权利1-7要求任一项所描述的一种极紫外光源靶材优化方法，其特征在于，靶材衬底选取硅片、玻璃、铜片三种材料作为衬底，利用波长1064nm、脉冲能量600mJ、脉宽7ns的激光分别轰击靶材，选择100nm为锡薄膜靶生长厚度。
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