[发明专利]一种射频前端芯片的偏置电压产生电路

说明书

本发明涉及射频前端芯片技术领域,公开了一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、PMOS管MP1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降压单元和电压输出端；在实际使用时，当电压输入端输入的电压是3.3V时，PMOS管MP1导通，PMOS管MP1输出的电流经第一电流镜单元和第二电流镜单元镜像后，在NMOS管MN1上产生压降，使PMOS管MP2关断，3.3V电压经降压单元输出；当电压输入端输入1.8V电压时，PMOS管MP1关断，不向第一电流镜单元输入电流，第一电流镜单元和第二电流镜单元不工作，1.8V电压经PMOS管MP2输出，因此本发明能够兼容两种电压规格的电源电压输入，且降低输入电压为1.8V时的工作电流和能耗。

技术领域

本发明涉及射频前端芯片技术领域，具体涉及一种射频前端芯片的偏置电压产生电路。

背景技术

在移动通信技术领域，射频前端芯片的电源电压规格一般为3.3V或者1.8V，并逐渐往1.8V发展。基于此，射频前端芯片的设计需要考虑电压档位的兼容，即确保能够在3.3V和1.8V的电压输入时都能正常工作。

目前，在射频前端芯片中，常采用动态偏置电路来使射频前端芯片能够同时兼顾3.3V和1.8V的电源电压。如图1所示，现有动态偏置电路包括bandgap基准电路和LDO电路，bandgap基准电路向LDO电路输入基准电压Vref，LDO稳压电路向射频前端芯片的其余电路提供偏置电压，其中bandgap基准电路和LDO电路在工作时都会消耗一定的工作电流，功耗较大，而且bandgap基准电路和LDO电路分别是闭环控制电路，为了自身稳定性需要同时控制工作电流，建立时间一般比较慢，大概在10us左右，整个启动时间较长。现有LDO的电路如图2所示，PMOS管MP1是输出功率管，通过改变电阻R1和R2的比例值，可以调节LDO的输出电压Vout的大小。当LDO电路输入的电源电压是1.8V时，PMOS管MP1工作在线性区，其等效为电阻，因此整个动态偏置电路的消耗电流较大。

发明内容

鉴于背景技术的不足，本发明提供了一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，所要解决的技术问题是现有射频前端芯片的动态偏置电路的工作电流较大，功耗较高。

为解决以上技术问题，本发明提供了如下技术方案：一种射频前端芯片的偏置电压产生电路，包括电压输入端、第一分压单元、第二分压单元、PMOS管MP1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降压单元和电压输出端；

所述第一分压单元、第二分压单元、第二电流镜单元、PMOS管MP2的源极和降压单元的输入端分别和所述电压输入端电连接，所述PMOS管MP2的漏极和降压单元的输出端分别与所述电压输出端电连接；

所述第一分压单元的分压节点与所述PMOS管MP1的源极电连接，所述第二分压单元的分压节点与所述PMOS管MP1的栅极电连接，在所述第一分压单元和第二分压单元导通时，所述第一分压单元的分压节点的电压大于所述第二分压单元的分压节点的电压，所述第一分压单元的分压节点与接地端之间的压差和所述第二分压单元的分压节点与接地端之间的压差均大于1.8V；

所述第一电流镜单元对所述PMOS管MP1的输出电流进行镜像，输出第二电流，所述第二电流镜单元对所述第二电流进行镜像，输出第三电流，所述第三电流输入到NMOS管MN1的漏极，所述NMOS管MN1的漏极与所述PMOS管MP2的栅极电连接，所述NMOS管MN1的栅极与第二分压单元的第二分压节点电连接，在所述第二分压单元导通时所述第二分压单元的分压节点的电压大于所述第二分压节点的电压，所述NMOS管MN1的源极接地。

在实际使用时，当电压输入端输入3.3V的电源电压时，第一分压单元和第二分压单元导通，PMOS管P1导通，此时第一电流镜单元有电流输入，第一电流镜单元将输入的电流转换为第二电流，第二电流镜单元将第二电流转换为第三电流，第三电流在NMOS管MN1上产生压降，此时PMOS管MP2关断，电压输入端输入的电压经降压单元输出；