[发明专利]半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备

说明书

本发明涉及一种半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备，包括：形成基底；在基底上形成沟槽；沿着沟槽的侧壁和底表面进行填充，形成第一填充层，第一填充层填充沟槽内的部分空间；去除第一填充层中远离侧壁和底表面的部分第一填充层，以形成修整填充层；在沟槽中的修整填充层上进行填充，形成第二填充层，从而能够解决大角度沟槽难以被填充材料完全填实的问题，并在将该半导体器件的制作方法应用于形成IC器件中浅沟槽隔离结构时，能够减小浅沟槽隔离结构内部的缝或空隙，以提升浅沟槽隔离结构的抗击穿能力，因而能够提高浅沟槽隔离结构的电隔离效果，有利于提高产品质量。

【技术领域】

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备。

【背景技术】

在半导体器件中，随着对沟槽深度的需求越来越深，沟槽的角度(也即，沟槽的侧壁与底平面之间的锐角夹角)越来越接近直角，如何在大角度沟槽中填充满材料成为一大问题，亟待解决。

【发明内容】

本发明实施例提供一种半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备，以解决大角度沟槽难以被填充材料完全填实的问题，进而提高大角度沟槽中填充物的性能。

为了至少部分解决上述问题，本发明实施例提供了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法包括：形成基底；在基底上形成沟槽；沿着沟槽的侧壁和底表面进行填充，形成第一填充层，第一填充层填充沟槽内的部分空间；去除第一填充层中远离侧壁和底表面的部分第一填充层，以形成修整填充层；在沟槽中的修整填充层上进行填充，形成第二填充层。

其中，沿着沟槽的侧壁和底表面进行填充，形成第一填充层的步骤，具体包括：进行填充材料的第一次沉积，以在沟槽的侧壁和底表面上沉积形成第一填充层。

其中，在沟槽中的修整填充层上进行填充，形成第二填充层的步骤，具体包括：进行填充材料的第二次沉积，以在沟槽中的修整填充层上沉积形成第二填充层。

其中，采用化学气相沉积工艺完成第一次沉积，采用原子层沉积工艺完成第二次沉积。

其中，去除第一填充层中远离侧壁和底表面的部分第一填充层，以形成修整填充层的步骤，具体包括：沿朝向底表面的方向刻蚀第一填充层，以去除第一填充层中远离侧壁和底表面的部分第一填充层，而形成修整填充层。

其中，形成基底的步骤，具体包括：提供衬底；在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二绝缘层，其中，沟槽贯穿第二绝缘层和第一绝缘层，并延伸至衬底内；且半导体器件的制作方法还包括：在沟槽中的修整填充层上进行填充，形成第二填充层的步骤之后，去除第二绝缘层。

其中，在形成第二填充层后，得到的填充于沟槽中的填充物为浅沟槽隔离结构，衬底包括多个阱区，且相邻两个阱区通过浅沟槽隔离结构分隔开。

其中，阱区包括依次连接的源极区、沟道区和漏极区，且在去除第二绝缘层的步骤之后，半导体器件的制作方法还包括：在沟道区上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅极层。

其中，侧壁与基底形成有沟槽的表面之间的锐角夹角不小于预设角度，预设角度的取值范围为80度至90度。

其中，部分空间和沟槽内全部空间的体积比值范围为0.7～0.8。

为了至少部分解决上述问题，本发明实施例还提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，衬底上设有沟槽；填充沟槽的、包括修整填充层和第二填充层的填充物；其中，修整填充层位于沟槽的侧壁和底表面上，填充沟槽内的部分空间，且修整填充层背离侧壁的相对表面之间被第二填充层分隔开。

其中，填充物的一端填充于沟槽中，另一端延伸至衬底上方。

其中，填充物为浅沟槽隔离结构。

其中，衬底包括多个阱区，且相邻两个阱区通过浅沟槽隔离结构分隔开。