[发明专利]一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件的场限环终端结构，其特征在于，包括：元胞区和在所述元胞区外围形成的终端区，所述终端区和所述元胞区包括共同的衬底和沿所述衬底一侧延伸的外延层；其中，

所述元胞区中远离所述衬底的一侧设置有主结区，且所述主结区设置于所述外延层的表面；所述终端区包括若干场限环以及一个截止环，所述截止环设置于所述终端区远离所述主结区的边缘，若干所述场限环依次排列于所述主结区与所述截止环之间，且若干所述场限环与所述终端区的表面间隔设置；所述终端区的表面对应于若干所述场限环的区域覆盖有场氧化层，在所述场氧化层的表面设置有浮空场板，所述浮空场板包括对应于所述场限环的重叠区域，以及对应于相邻所述场限环之间区域的延伸区域，所述延伸区域用于吸引空穴。

2.根据权利要求1所述的场限环终端结构，其特征在于，所述浮空场板的数量为1，所述浮空场板包括依次间隔设置的延伸区域，相邻所述延伸区域之间设置重叠区域，所述重叠区域对应覆盖若干所述场限环。

3.根据权利要求1所述的场限环终端结构，其特征在于，若干所述浮空场板一一对应于若干所述场限环，每组所述浮空场板包括重叠区域以及位于所述重叠区域两侧的延伸区域，所述重叠区域覆盖对应的所述场限环。

4.根据权利要求1所述的场限环终端结构，其特征在于，若干所述浮空场板一一对应于若干所述场限环，每组所述浮空场板包括重叠区域以及位于所述重叠区域一侧的延伸区域，所述重叠区域与对应的所述场限环部分重叠。

5.根据权利要求4所述的场限环终端结构，其特征在于，所述重叠区域与对应的所述场限环部分重叠，包括：

每组所述浮空场板的重叠区域与对应的所述场限环的左侧区域重叠，以及所述延伸区域向所述主结区延展；

或，每组所述浮空场板的重叠区域与对应的所述场限环的右侧区域重叠，以及所述延伸区域向所述截止环延展。

6.根据权利要求1所述的场限环终端结构，其特征在于，所述衬底为N型衬底，对应于所述N型衬底的主结区的掺杂形成Pbody，对应于所述N型衬底的截止环为N+型截止环。

7.根据权利要求1所述的场限环终端结构，其特征在于，所述衬底为P型衬底，对应于所述P型衬底的主结区的掺杂形成Nbody，对应于所述P型衬底的截止环为P+型截止环。

8.根据权利要求1所述的场限环终端结构，其特征在于，所述截止环的外侧设置有芯片划片道，所述主结区和所述截止环分别连接有金属场板。

9.一种功率半导体器件的场限环终端结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1－8任意一项所述的场限环终端结构，所述制备方法包括：

提供衬底，并在衬底的一侧生长外延层，将所述衬底和所述外延层形成的整体划分为元胞区和终端区；

对应于所述元胞区，在所述外延层上进行主结区的光刻和注入，对应于所述终端区，在所述外延层上进行场限环和截止环的光刻和注入；其中，所述场限环与所述外延层的表面间隔设置，所述场限环设置于所述主结区和所述截止环之间；

对应于所述场限环的生成位置，在所述外延层的表面生成场氧化层；

在所述场氧化层的表面生成浮空场板；其中，所述浮空场板包括对应于所述场限环的重叠区域，以及对应于相邻所述场限环之间区域的延伸区域，所述延伸区域用于吸引空穴。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

通过孔连接工艺，将所述主结区和所述截止环分别连接至金属场板。