[发明专利]绿光发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种绿光发光二极管外延片，其特征在于，所述外延片包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的GaN成核层、未掺杂的u-GaN层、掺杂Si的n-GaN层、应力释放层、多量子阱有源层、电子阻挡层及掺杂Mg的p-GaN层；

其中，所述多量子阱有源层是由量子阱层和量子垒层交替层叠而成的周期性结构，所述多量子阱有源层的单个周期结构中的所述量子垒层生长在所述量子阱层上方，所述量子阱层为InGaN阱层，所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第一量子垒层为GaN垒层，所述第二量子垒层为在所述第一量子垒层上生长的In_xGa_1-xN垒层，其中，x为大于0且小于1的常数，所述第二量子垒层用于匹配相邻周期结构中所述量子垒层与所述量子阱层之间的晶格。

2.根据权利要求1所述的绿光发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱有源层的单个周期结构中：所述量子阱层在生长过程中不通入H₂，所述第一量子垒层在生长过程中通入H₂，所述第一量子垒层的生长温度高于所述量子阱层的生长温度，所述第二量子垒层在生长过程中不通入H₂，且所述第二量子垒层基于所述第一量子垒层单位时间内生长的厚度渐变减小及生长温度渐变降低。

3.根据权利要求2所述的绿光发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱有源层的单个周期结构中：所述量子阱层在生长过程中通入的Ga源通入量保持恒定且为第一预设流量，所述第一量子垒层在生长过程中通入的Ga源通入量保持恒定且为第一预设流量，所述第二量子垒层在生长过程中通入的Ga源的通入量由所述第一预设流量渐变减少至第二预设流量，其中，所述第二预设流量为所述第一预设流量的10%-50%；

所述量子阱层的生长温度为第一预设温度，所述第一量子垒层的生长温度为第二预设温度，所述第二预设温度高于所述第一预设温度，所述第二量子垒层的生长温度由所述第二预设温度渐变降低趋于所述第一预设温度，所述第二预设温度大于所述第一预设温度。

4.根据权利要求3所述的绿光发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱有源层的单个周期结构中：所述量子阱层的生长厚度为2-5nm，所述量子垒层的生长厚度为6-15nm，所述第一量子垒层的生长厚度为5～12nm，所述第二量子垒层的生长厚度为1～3nm。

5.根据权利要求3所述的绿光发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱有源层的单个周期结构中：所述第一预设温度为720～800℃，所述第二预设温度为830-930℃。

6.根据权利要求1所述的绿光发光二极管外延片，其特征在于，x的取值范围为0.1-0.3。

7.根据权利要求1所述的绿光发光二极管外延片，其特征在于，所述多量子阱有源层中In组分所占摩尔比例为10％-35％，所述多量子阱有源层的生长压力为100～500Torr，所述多量子阱有源层中所述量子阱层的数量与所述量子垒层的数量相同，均为预设数量，其中，所述预设数量为5～12个。