[发明专利]一种基于三维特征强化的OPC方法在审
申请号: | 202210169316.8 | 申请日: | 2022-02-23 |
公开(公告)号: | CN114488719A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 彭飞;杨泽宇;宋毅 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G06T19/20;G06T7/13;G06T5/00 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 胡琦旖 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 三维 特征 强化 opc 方法 | ||
1.一种基于三维特征强化的OPC方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1、根据光刻胶曝光数据和光刻胶的化学反应函数得到优化的光刻胶函数模型;根据光刻机参数,将目标图案转化为目标像素化图案;
步骤S2、采用Sobel算子对所述目标像素化图案在两个不同的梯度阈值下进行边缘提取,得到对应的边缘特征矩阵,将边缘特征矩阵的数值作为目标图案矩阵的数值;
步骤S3、根据光刻机参数和优化的光刻胶函数模型,得到初始的成像图案矩阵;
步骤S4、构建第一代价函数和约束条件,根据所述约束条件对曝光剂量分布和成像图案矩阵的数值进行更新;
步骤S5、根据更新判断条件对梯度阈值进行自动更新;
步骤S6、判断是否满足循环结束条件;若不满足,则返回至步骤S2;若满足,则结束循环。
2.根据权利要求1所述的基于三维特征强化的OPC方法,其特征在于,所述步骤S1包括以下子步骤:
步骤S11、根据实际测量得到的光刻胶曝光数据,结合光刻胶的化学反应函数建立第二代价函数;
所述第二代价函数表示为:
其中,H表示第二代价函数,PR表示实际测量得到的光刻胶曝光数据,Sig(·)表示光刻胶的化学反应函数;
步骤S12、根据所述第二代价函数,使用最优化算法对光刻胶参数进行优化,直至所述第二代价函数最小,获得最优的光刻胶参数,所述光刻胶参数包括刻蚀速度和刻蚀阈值;
步骤S13、基于最优的刻蚀速度和最优的刻蚀阈值得到优化的光刻胶函数模型;
所述优化的光刻胶函数模型表示为:
其中,a表示最优的刻蚀速度,tr表示最优的刻蚀阈值;
步骤S14、输入光刻机参数,将目标图案转化为目标像素化图案。
3.根据权利要求1所述的基于三维特征强化的OPC方法,其特征在于,在采用Sobel算子进行边缘提取之前,还包括:对所述目标像素化图案进行高斯平滑处理。
4.根据权利要求3所述的基于三维特征强化的OPC方法,其特征在于,高斯平滑卷积核如下:
0.075 0.124 0.075 0.124 0.204 0.124 0.075 0.124 0.075
通过使用所述高斯平滑卷积核与目标像素化图案做卷积运算,实现对目标像素化图案进行高斯平滑处理。
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