[发明专利]超薄金属栅的制造方法

权利要求书

1.一种超薄金属栅的制造方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浮栅结构，所述浮栅结构包括存储区域和非存储区域；

步骤二、形成覆盖所述浮栅结构的第一薄膜以及在所述第一薄膜上的第一复合薄膜层；

步骤三、在所述衬底形成覆盖所述氧化层的光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得所述非存储区域上的所述第一复合薄膜层裸露；

步骤四、刻蚀裸露出的所述第一复合薄膜层，使得所述存储区域中的所述浮栅结构上的所述第一复合薄膜层保留；

步骤五、刻蚀所述存储区域中的所述第一复合薄膜层，使得所述存储区域中的所述浮栅结构的侧壁及底部沟槽之外的所述第一复合薄膜层去除；

步骤六、去除所述光刻胶层，之后形成覆盖所述第一薄膜、剩余所述第一复合薄膜层的第二复合薄膜层；

步骤七、刻蚀所述第一薄膜、剩余的所述第一、第二复合薄膜层，使得所述存储区域中，所述浮栅结构侧壁之外的所述第一薄膜、剩余的所述第一、第二复合薄膜层去除，所述非存储区域中，所述浮栅结构侧壁之外的所述第二复合薄膜层去除。

2.根据权利要求1所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底形成浮栅隧穿氧化层后，再形成所述浮栅结构。

4.根据权利要求1所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述第一薄膜的材料为二氧化铪。

5.根据权利要求1所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述第一薄膜的厚度为20埃至30埃。

6.根据权利要求1所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述第一复合薄膜层为自下而上堆叠的氮化钛层和第一氧化层。

7.根据权利要求6所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述第一氧化层的厚度约为20埃至40埃。

8.根据权利要求6所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述氮化钛层的厚度约为20埃至40埃。

9.根据权利要求6所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述氮化钛层的淀积温度为390摄氏度至410摄氏度。

10.根据权利要求6所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤四中利用利用湿法刻蚀去除所述第一氧化层，之后利用干法刻蚀去除所述氮化钛层。

11.根据权利要求1所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤五中的所述刻蚀为湿法刻蚀。

12.根据权利要求1所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤六中的所述第二复合薄膜层为自下而上堆叠的第二氧化层和氮化硅层。

13.根据权利要求12所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤六中的所述第二氧化层的厚度约为20埃至30埃。

14.根据权利要求12所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤六中的所述氮化硅层的厚度约为20埃至30埃。

15.根据权利要求1所述的超薄金属栅的制造方法，其特征在于：步骤七中的所述刻蚀为干法刻蚀。