[发明专利]驱动电路及相关控制芯片电路、电源适配器和电子设备在审
申请号: | 202210170572.9 | 申请日: | 2021-10-22 |
公开(公告)号: | CN116015023A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 张涛 | 申请(专利权)人: | 深圳英集芯科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/44;H02M3/158 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电路 相关 控制 芯片 电源 适配器 电子设备 | ||
1.一种驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括:第一段驱动电路和第二段驱动电路,其中,
所述第一段驱动电路连接所述第二段驱动电路;所述第二段驱动电路用于驱动外置功率管以实现驱动功能;所述第二段驱动电路的驱动电流为所述第一段驱动电流的E倍。
2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述第二段驱动电路包括升压电路、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5;所述升压电路包括:第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、双极结型晶体管BJT、第一反相器组、第一电容C、第一电阻R1和第二电阻R2;
所述P1的第一端连接所述N1的第一端;所述P1的第三端连接所述C的负极和所述N1的第三端;所述P1的第三端连接第一电源VCC以及所述BJT;所述BJT连接所述C的正极以及所述P2的第二端;
所述P2的第一端连接所述N2的第一端以及所述第一反相器组中前a1个反相器的输出端,所述第一反相器组包括a个反相器,a1小于a,且a1、a均为奇数;所述P2的第二端还连接所述C的正极;所述P2的第三端连接所述N3的第一端以及所述N2的第三端;所述第一反相器组的输出端连接所述N4的第一端;所述P2的第三端接地;
所述N3的第二端连接所述N4的第三端以及所述N5的第二端;所述N5的第一端用于接入所述第一段驱动电路的输出信号;所述N3的第三端、所述N5的第三端均接入第二电源VDD;所述N5的第二端连接所述R1的一端以及驱动端口;所述R1的另一端连接R2的一端以及用于输出比较电压VO_ADOPT,所述R2的另一端接地;
所述N1的第一端用于接入第二输入信号VCON2,所述VCON2由与门电路的输出端输出的信号经过第二反相器组后得到的输出信号,所述与门电路的一个输入端则由第一输入信号VCON1经过第三反相器组输入;所述与门电路的另一个输入端用于输入驱动信号,所述第二反相器组包括b个反相器;所述第一输入信号为比较器的输出信号,所述第三反相器组包括c个反相器,b、c均为奇数;所述N1的第二端接地。
3.根据权利要求2所述的驱动电路,其特征在于,所述第一段驱动电路包括:所述比较器、第四反相器组、第一电流放大电路、第二电流放大电路、第六NMOS管N6和第七NMOS管N7;所述第四反相器组包括d个反相器,d为奇数;所述第一电流放大电路包括第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第三电阻R3和第四电阻R4;所述第二电流放大电路包括第八NMOS管N8和第九NMOS管N9;
所述比较器的正相输入端连接第三电源,所述比较器的反相输入端输入所述VO_ADOPT;所述比较器的输出端连接所述N6的第一端以及所述第三反相器组的输入端;所述第三反相器组的输出端连接所述N7的第一端;
所述N6的第二端连接所述N9的第三端;所述N6的第三端连接所述R3的一端,所述R3的另一端连接所述P3的第三端和第一端;所述P3的第一端连接所述P4的第一端;所述P3的第二端、所述P4的第二端均接入所述VDD;所述P4的第三端连接所述R4的一端,所述R4的另一端连接所述N7的第三端以及输出所述第一段驱动电路的输出信号;所述N7的第二端接地;
所述N9的第一端连接所述N8的第一端;所述N8的第一端以及第三端用于连接电流偏置模块,以引入偏置电流;所述N9的第二端、所述N8的第三端均接地。
4.根据权利要求3或2所述的驱动电路,其特征在于,
所述比较器用于比较所述VO_ADOPT以及所述第三电源的基准电压VREF,得到第一段驱动控制信号,所述VO_ADOPT为通过所述R1和所述R2进行分压后得到的电压;
当所述第一段驱动控制信号为高电平时,开启所述N6,所述N9的第一端的输入电流为所述偏置电流的M倍,同时,所述N7关闭,M大于1;
所述第一段驱动电路的输出信号升高达到设定值后,驱动所述N5的第一端,以使所述N5的第一端的电压快速上升,所述设定值为M*N倍的偏置电流,N大于1;
驱动所述N5的第一端,使所述N5电压快速上升。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳英集芯科技股份有限公司,未经深圳英集芯科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210170572.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:全息式显微镜及其使用方法
- 下一篇:MxA作为蛋白标志物的应用及其试剂盒
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置