[发明专利]一种网状结构的非晶纳米晶合金及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将厚度小于50μm的非晶合金样品固定在离子减薄仪的支架上；

(2)调整离子减薄仪的左、右离子枪的角度，在第一目标电压下对样品进行预处理第一目标时长；

(3)减小左、右离子枪角度，降低施加电压至第二目标电压，在第二目标电压下对经过步骤(2)处理得到的样品进行处理第二目标时长，得到具有网状结构的非晶纳米晶合金。

2.根据权利要求1所述的一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，非晶合金样品为Fe基、Co基、FeCo基、FeNi基、Ni基、NdFeB基或稀土基非晶合金。

3.根据权利要求2所述的一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，左、右离子枪的角度不低于±5°，第一目标电压不低于5keV，第一目标时长不低于30min。

4.根据权利要求3所述的一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，左、右离子枪的角度分别为8°、-8°，第一目标电压为8keV，第一目标时长为120min。

5.根据权利要求3所述的一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，左、右离子枪的角度不高于±5°，第二目标电压不高于5keV，第二目标时长不高于60min，且第二目标时长小于第一目标时长。

6.根据权利要求5所述的一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，左、右离子枪的角度分别为4°、-4°，第二目标电压为3keV，第二目标时长为15min。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，所述离子减薄仪的支架为Cu支架或Mo支架。

8.根据权利要求1-6任一项所述的一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，若非晶条带样品的厚度大于50μm，则采用2000目SiC砂纸打薄至厚度小于50μm。

9.如权利要求1-8任一项所述的制备方法制得的网状结构的非晶纳米晶合金，其特征在于，所述非晶纳米晶合金为由非晶骨架和纳米晶构成的网状结构。

10.如权利要求9所述的非晶纳米晶合金的应用，其特征在于，用于互感器、开关电源、变压器或铁芯带材。