[发明专利]一种法布里-珀罗微腔发光二极管及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种法布里-珀罗微腔发光二极管，其特征在于：包括依次层叠设置的硅/二氧化硅衬底层、铬金属粘附层、高反射率金层、空穴传输层、界面修饰层、叔丁基-铯铅溴钙钛矿发光层、电子传输层、半透明金层。

2.一种权利要求1所述的法布里-珀罗微腔发光二极管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1提供硅晶圆片，在硅晶圆片上通过硅热氧化工艺制备二氧化硅并形成硅/二氧化硅衬底层；

S2制备铬金属粘附层，使用电子束蒸发镀膜系统和掩膜版，对硅基的指定区域衬底镀铬金属粘附层；

S3制备高反射率金层，使用电子束蒸发镀膜系统和掩膜版，对S2处理后的指定区域衬底镀高反射率金层；

S4制备空穴传输层，使用溶液在S3处理后的衬底上旋涂，并在手套箱内烘烤；

S5制备界面修饰层，使用溶液在S4处理后的衬底上旋涂，并在手套箱内烘烤；

S6制备叔丁基-铯铅溴钙钛矿发光层，待S5处理后的衬底冷却后，使用叔丁基-铯铅溴钙钛矿前驱体溶液在该衬底上旋涂，并在衬底上退火；

S7制备电子传输层，在S6处理后的衬底上蒸镀电子传输层；

S8制备半透明金层，在S7处理后的衬底上蒸镀半透明金层。

3.根据权利要求2所述的法布里-珀罗微腔发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，使用掩膜版对S2处理后的衬底进行电子束蒸发镀金，对指定区域衬底镀高反射率金层。

4.根据权利要求2所述的法布里-珀罗微腔发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，将Poly-TPD加入甲苯溶液，在室温条件下震荡至充分溶解；然后将Poly-TPD溶液旋涂在S3处理后的硅基/金衬底上，并在氮气手套箱中烘烤。

5.根据权利要求1所述的法布里-珀罗微腔发光二极管，其特征在于：所述步骤S5中，首先将PVK加入醋酸乙酯溶液，在室温条件下震荡至充分溶解；然后将PVK溶液旋涂在S4处理后的衬底上，并在氮气手套箱中烘烤。

6.根据权利要求2所述的法布里-珀罗微腔发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S6中，叔丁基-铯铅溴钙钛矿前驱体溶液制备步骤如下：首先将t-BABr，CsBr，PbBr₂和聚乙二醇加入DMSO溶液，在室温条件下搅拌至充分溶解，接着使用滤头对叔丁基-铯铅溴钙钛矿前驱体溶液进行过滤，然后将过滤后的叔丁基-铯铅溴钙钛矿前驱体溶液旋涂在经S5处理后的衬底上，并在衬底上退火。

7.根据权利要求2所述的法布里-珀罗微腔发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S7中，使用热蒸镀系统在S6处理后的衬底上蒸镀TPBi，接着蒸镀LiF层。

8.根据权利要求2所述的法布里-珀罗微腔发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S8中，使用热蒸镀系统和掩膜版在S7处理后的衬底上蒸镀半透明金层。

9.权利要求1所述的法布里-珀罗微腔发光二极管应用于发光二极管领域。

10.一种发光器件，其特征在于：包括权利要求1所述的法布里-珀罗微腔发光二极管。