[发明专利]晶片温度调整装置、晶片处理装置及晶片温度调整方法

说明书

本发明涉及晶片温度调整装置、晶片处理装置及晶片温度调整方法，均匀且迅速地调整晶片的温度。晶片温度调整装置(100)具备：上表面(112)；晶片支承机构(114)，在将上表面(112)与晶片(W)的间隔(d)维持在规定范围内，且上表面(112)与晶片(W)之间的第1空间(118)和晶片(W)上方的第2空间(120)连通的状态下，在上表面(112)的上方支承晶片(W)；工作台(104)，调整上表面(112)的温度；及气体供给部(106)，向第1空间(118)及第2空间(120)供给热传递气体。

技术领域

本申请主张基于2021年2月24日申请的日本专利申请第2021-027143号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及调整晶片温度的装置及方法。

背景技术

在半导体制造工序中处理晶片的情况下，可以在处理前、处理中及处理后中的至少一方加热或冷却晶片。例如，有如下方法：与晶片的表面或背面对置配置加热器，并通过来自加热器的热辐射而加热晶片。此外，已知有一种静电吸附机构，其在将晶片固定于静电卡盘的状态下，通过向晶片的背面供给热交换用气体而调整晶片的温度(例如，参考专利文献1)。

专利文献1：日本特开2002-76105号公报

在晶片的加热中利用热辐射的情况下，由于辐射系统的热响应性低，因此存在加热费时间且不易使晶片面内的加热均匀的问题。并且，在用静电卡盘固定了晶片的状态下向晶片背面供给热交换用气体的情况下，当使静电卡盘的吸附力降低时，晶片可能因存在于晶片背面的热交换用气体的压力而在静电卡盘上弹起。为了防止晶片的弹起，在完全解除吸附力之前，需要充分排出晶片背面的气体，为了排出气体而费时间。若晶片的温度调整费时间，则会导致半导体制造工序的生产率降低。

发明内容

本发明的一个实施方式的示例性目的之一为，提供一种均匀且迅速地调整晶片的温度的技术。

本发明的一个实施方式的晶片温度调整装置具备：上表面；晶片支承机构，在将上表面与晶片的间隔维持在规定范围内，且上表面与晶片之间的第1空间和晶片上方的第2空间连通的状态下，在上表面的上方支承晶片；工作台，调整上表面的温度；气体供给部，向第1空间及第2空间供给热传递气体。

本发明的另一个实施方式为一种晶片处理装置。该装置具备：真空处理室，进行针对晶片的处理；上述实施方式的晶片温度调整装置，在真空处理室内的处理之前及之后的至少一方，调整晶片的温度；温度调整室，设置有晶片温度调整装置；闸阀，能够封闭真空处理室与温度调整室之间；及真空排气装置，使温度调整室内的压力下降。

本发明的另一个实施方式为一种晶片温度调整方法。该方法具备如下步骤：调整上表面的温度；在将上表面与晶片的间隔维持在规定范围内，且上表面与晶片之间的第1空间和晶片上方的第2空间连通的状态下，在上表面的上方支承晶片；向第1空间及第2空间供给热传递气体。

另外，将以上构成要件的任意组合、本发明的构成要件、表述方式在方法、装置、系统等之间彼此替换的内容，作为本发明的实施方式也有效。

发明的效果

根据本发明的一个实施方式，能够均匀且迅速地调整晶片的温度。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的晶片温度调整装置的概略结构的剖视图。

图2是表示图1的晶片温度调整装置的概略结构的俯视图。

图3是示意性地表示晶片温度的调整时间的曲线图。

图4是表示实施方式所涉及的离子注入装置的概略结构的俯视图。

图5是表示图4的离子注入装置的概略结构的侧视图。

图6是表示实施方式所涉及的晶片输送装置的概略结构的俯视图。