[发明专利]存储器的检测方法、检测系统、可读介质及电子设备

说明书

本公开提供了一种存储器的检测方法、检测系统、计算机可读介质与电子设备，检测方法包括：向一目标字线连接的存储单元中写入第一电压，与相邻的至少一条其他字线连接的存储单元中写入第二电压；或者，向一目标字线连接的存储单元中写入第二电压，与相邻的至少一条其他字线连接的存储单元中写入第一电压；第一电压大于第二电压；向其他字线重复写入第一电压或第二电压；读取目标字线连接的存储单元，并判断各存储单元的读取结果是否等于其写入的第一电压或第二电压；若存储单元的读取结果是不等于其写入的第一电压或第二电压，则判断该存储单元漏电。能够将具有潜在双位元失效的芯片提前筛选出来。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，具体而言，涉及一种存储器的检测方法、存储器的检测系统、计算机可读介质及电子设备。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)包括用于存储数据的多个存储单元，每个存储单元可以包括晶体管和电容器，晶体管用作数据向存储单元的流动以及数据从存储单元的流动的门控，电容器用于以电荷的形式来存储数据。

由于DRAM的结构过于精细，量产工艺复杂繁琐，在DRAM的电容工艺制程中，形成电容器的电容柱体之间容易相互倾斜，导致临近的电容单元容易产生故障。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种存储器的检测方法、存储器的检测系统、计算机可读介质及电子设备，能够将具有潜在双位元失效的芯片提前筛选出来。

根据本公开实施例的一个方面，用于测试待测存储器，所述检测方法包括：

向一目标字线连接的存储单元中写入第一电压，与相邻的至少一条其他字线连接的存储单元中写入第二电压；或者，向一目标字线连接的存储单元中写入第二电压，与相邻的至少一条其他字线连接的存储单元中写入第一电压；所述第一电压大于所述第二电压；

向所述其他字线重复写入所述第一电压或所述第二电压；

读取所述目标字线连接的所述存储单元，并判断各所述存储单元的读取结果是否等于其写入的所述第一电压或所述第二电压；

若所述存储单元的读取结果是不等于其写入的所述第一电压或所述第二电压，则判断该存储单元漏电。

在本公开的一种示例性实施例中，向所述存储单元中写入第一电压，包括：

控制连接感应放大器的目标电荷泵开启以生成第一电压，控制连接所述第一电压和所述感应放大器的目标开关元件开启，以对所述感应放大器输入所述第一电压；

通过所述感应放大器向所述存储单元中写入所述第一电压。

在本公开的一种示例性实施例中，向所述存储单元中写入第二电压，包括：

控制连接感应放大器的目标电荷泵开启以生成第二电压，控制连接所述第二电压和所述感应放大器的目标开关元件开启，以对所述感应放大器输入所述第二电压；

通过所述感应放大器向所述存储单元中写入所述第二电压。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电压高于待检测存储器的电源电压。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二电压为零电压或负电压。

在本公开的一种示例性实施例中，向一目标字线连接的存储单元中写入第一电压，与相邻的1～10条其他字线连接的存储单元中写入第二电压；或者，向一目标字线连接的存储单元中写入第二电压，与相邻的1～10条其他字线连接的存储单元中写入第一电压。

在本公开的一种示例性实施例中，所述检测方法还包括：