[发明专利]晶圆传输装置和方法在审
申请号: | 202210172919.3 | 申请日: | 2022-02-24 |
公开(公告)号: | CN114582771A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 张瑞 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;G01L5/00 |
代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 董琳 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输 装置 方法 | ||
本申请公开一种晶圆传输装置和方法,晶圆传输装置包括:机械手、控制器、至少一组压力传感器和校正平台;机械手包括承载盘,承载盘的表面设有多条凹槽,每条凹槽均关于承载盘的中心轴对称,凹槽用于在承载盘承载晶圆时,形成吸附空间;每组压力传感器均包括两个传感器单元,两个传感器单元分别设于同一条凹槽的同一个侧墙顶部,且关于中心轴对称,用于在机械手承载有晶圆时,测量晶圆在对应测量点承受的压力信息,将压力信息传输至控制器;控制器用于在至少一组压力传感器测量的压力信息不匹配时,控制机械手将承载的晶圆传回校正平台,并在校正平台调整晶圆的相对位置后,控制机械手重新吸附晶圆。本申请能够稳定地传输晶圆。
技术领域
本申请涉及半导体工艺控制技术领域,具体涉及一种晶圆传输装置和方法。
背景技术
晶圆从料盒(FOUP)取出,通过机械手传送至对应的真空预抽腔体(LoadLock)时,如果晶圆的传输位置、传输速度等工作条件出现异常时,将严重影响自动传输的稳定性,因此,准确控制晶圆传输稳定性的机械手是晶圆进行稳定传输的保障。然而,传统方案采用机械手传输晶圆的过程中,难以对影响稳定传输的参数进行监测和/或调节,容易影响晶圆的传输效果。
发明内容
鉴于此,本申请提供一种晶圆传输装置和方法,以解决传统方案采用机械手传输晶圆的过程中,难以对影响稳定传输的参数进行监测和/或调节,容易影响晶圆传输效果的问题。
本申请提供的一种晶圆传输装置,包括:机械手、控制器、至少一组压力传感器和校正平台;
所述机械手包括承载盘,所述承载盘的表面设有多条凹槽,每条所述凹槽均关于所述承载盘的中心轴对称,所述凹槽用于在所述承载盘承载所述晶圆时,形成吸附空间;
所述校正平台用于对所述晶圆与所述承载盘之间的相对位置进行校正;
每组压力传感器均包括两个传感器单元,所述两个传感器单元分别设于同一条所述凹槽的同一个侧墙顶部,且关于所述中心轴对称,用于在所述机械手承载有所述晶圆时,测量所述晶圆在对应测量点承受的压力信息,将所述压力信息传输至所述控制器;
所述控制器用于在至少一组所述压力传感器测量的压力信息不匹配时,控制所述机械手将承载的所述晶圆传回所述校正平台,并在所述校正平台调整所述晶圆的相对位置后,控制所述机械手重新吸附所述晶圆。
可选地,所述晶圆传输装置包括多组所述压力传感器;所述晶圆传输装置还包括脉宽调制模块,所述脉宽调制模块连接至所述控制器和所述机械手,用于向所述机械手输出控制脉冲,所述控制脉冲的脉宽大小与所述机械手的传输速度成正比;所述控制器还用于在所述机械手传输所述晶圆,且任一个所述传感器单元测得的压力信息大于或者等于预设压力值时,根据各所述传感器单元测得的压力信息获取压力均值,根据所述压力均值计算所述机械手对应的电机转速,向所述脉宽调制模块输出所述电机转速对应的脉宽控制信号,以使所述脉宽调制模块根据所述脉宽控制信号向所述机械手输出对应的控制脉冲。
可选地,所述控制器还用于获取所述承载盘的中心轴任一侧的压力信息中最大值和最小值之间的压力极差,在所述压力极差大于或者等于预设的极差阈值时,控制所述机械手将所述晶圆传回所述校正平台。
可选地,所述承载盘内具有贯穿所述承载盘的通孔;各条所述凹槽相互之间平行设置,且均与所述通孔连通。
可选地,所述承载盘在沿所述中心轴方向上的两端分别为前端和后端,且所述前端具有凸向所述承载盘中心的弧形边缘,所述凹槽呈弧形,所述凹槽的两端位于所述中心轴的两侧延伸至所述弧形边缘处。
可选地,所有所述传感器单元设置于所述承载盘的前端与所述通孔之间的区域内。
可选地,所述晶圆传输装置还包括真空吸附机构;所述真空吸附机构设于所述承载盘的底部,连通至所述通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造