[发明专利]一种制备高性能Nb3

权利要求书

1.一种制备高性能Nb₃(Al，Ge) 超导体的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

（1）配料：将Nb粉、Al粉和Ge粉按照一定的原子比例在手套箱中称取，并倒入球磨罐中；

（2）球磨：再向步骤（1）的球磨罐中放入相应质量的磨球，将球磨罐安装在行星球磨机上，球磨得到Nb-Al-Ge混合原料粉末；

（3）将上述Nb-Al-Ge混合粉末装入模具中，置于放电等离子体烧结炉（SPS）进行加热加压烧结，得到SPS制备的Nb₃(Al_1-xGe_x)超导体，其中x=00.10，且x不为0；

（4）将上述样品放入石英管中真空封管，进行后退火处理，退火后随炉冷却，得到后退火处理的SPS制备Nb₃(Al_1-xGe_x)超导体。

2.根据权利要求1所述的一种制备高性能Nb₃(Al，Ge) 超导体的方法，其特征在于，步骤（1）的原子比例为Nb₃∶(Al_1-xGe_x) = 74∶26，Nb粉、Al粉和Ge粉的颗粒度为10~45微米。

3.根据权利要求1所述的一种制备高性能Nb₃(Al，Ge) 超导体的方法，其特征在于，步骤（2）的磨球为不锈钢材质，球磨转速为280~350 RPM，球磨时间为30~40 min，球料比为10∶1~12∶1。

4.根据权利要求1所述的一种制备高性能Nb₃(Al，Ge) 超导体的方法，其特征在于，步骤（3）的模具为石墨模具，直径为10-20 mm。

5.根据权利要求1所述的一种制备高性能Nb₃(Al，Ge) 超导体的方法，其特征在于，步骤（3）所述的放电等离子体烧结过程，烧结压力为25~35MPa，升温速率为50~60℃/min，烧结温度为1300~1400℃，保温时间为5~20min。

6.根据权利要求1所述的一种制备高性能Nb₃(Al，Ge) 超导体的方法，其特征在于，步骤（4）所述的后退火处理过程中，退火温度为800℃~950℃，保温时间为1~2 h。

7.根据权利要求1所述的一种制备高性能Nb₃(Al，Ge) 超导体的方法，其特征在于，所有步骤均在Ar气氛保护或真空条件下进行。