[发明专利]用于钨层的蚀刻溶液组合物、用其制作电子器件的方法及电子器件在审
| 申请号： | 202210173376.7 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114657565A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 金成民;曺榕浚;李京浩 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/38 | 分类号： | C23F1/38;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;石宝忠 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 溶液 组合 制作 电子器件 方法 | ||
1.用于钨层的蚀刻溶液组合物，包括：
相对于所述用于钨层的蚀刻溶液组合物的总重量，25重量％至50重量％的N-甲基吗啉N-氧化物；和
水。
2.根据权利要求1所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物，还包括以下化学式1的组合物：
[化学式1]
其中，R1是具有4至18个碳原子的线性烷基。
3.根据权利要求2所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物，其中，所述化学式1的化合物包括选自由十六烷基二甲胺N-氧化物和月桂基二甲胺N-氧化物组成的组中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物，包括：
相对于所述用于钨层的蚀刻溶液组合物的总重量，
所述N-甲基吗啉N-氧化物为30重量％至50重量％；
所述化学式1的化合物为0.3重量％至15重量％；和
余量的水。
5.根据权利要求1所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物，还包括：以下化学式2的化合物：
[化学式2]
NH2C2H4(NHC2H4)nNH2
其中，n是0至2的整数。
6.根据权利要求5所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物，其中，所述化学式2的化合物包括选自由乙二胺、二亚乙基三胺和三亚乙基四胺组成的组中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物，包括：
相对于所述用于钨层的蚀刻溶液组合物的总重量，
所述N-甲基吗啉N-氧化物为30重量％至50重量％；
所述化学式2的化合物为0.1重量％至1.2重量％；和
余量的水。
8.根据权利要求5所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物，其中，所述用于钨层的蚀刻溶液组合物的蚀刻温度为从30℃至80℃。
9.用于制作电子器件的方法，包括使用根据权利要求1至8中的任一项所述的用于钨层的蚀刻溶液组合物蚀刻钨基金属的工艺。
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