[发明专利]改性钙硼镧玻璃粉体、生瓷带、介电常数可控的LTCC基板、封装材料及其制备方法

权利要求书

1.一种改性钙硼镧玻璃粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1将表面改性剂、水、无水乙醇和酸碱调节剂混合，得到pH值为1-5的第一混合液，将第一混合液进行搅拌，得到溶解后的表面改性剂溶液；

S2将钙硼镧玻璃粉体、步骤S1得到的溶解后的表面改性剂溶液、水、无水乙醇和酸碱调节剂混合，得到pH值为3-6的第二混合液，将第二混合液进行搅拌改性，然后超声清洗、干燥和筛分，得到所述改性钙硼镧玻璃粉体。

2.如权利要求1所述的改性钙硼镧玻璃粉体的制备方法，其特征在于，步骤S1中，其中所述水占所述第一混合液的质量百分比为25-45wt％；所述无水乙醇占所述第一混合液的质量百分比为55-75wt％；所述酸碱调节剂占所述第一混合液的质量百分比为0.5-4wt％；和/或所述表面改性剂选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝酸脂偶联剂、硬脂酸以及聚乙二醇中的至少一种；所述酸碱调节剂选自2-羟基丁二酸、乙酸、草酸和冰醋酸中的至少一种；和/或所述第一混合液搅拌方式为磁力搅拌，搅拌时间为1-4小时，搅拌温度为25-60℃。

3.如权利要求1所述的改性钙硼镧玻璃粉体的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述表面改性剂与钙硼镧玻璃粉体的质量比为0.5-10wt％；所述钙硼镧玻璃粉体占所述第二混合液的质量百分比为15-35wt％；所述步骤S1中得到的溶解后表面改性剂溶液占所述第二混合液的质量百分比为35-55wt％；所述水占所述第二混合液的质量百分比为10-30wt％；所述无水乙醇占所述第二混合液的质量百分比为10-30wt％；和/或所述酸碱调节剂占所述第二混合液的质量百分比为0.5-4wt％；所述钙硼镧玻璃粉体的粒径为1.3-2.4微米；和/或所述混合液搅拌方式为机械搅拌，搅拌时间为6-10小时，搅拌温度为25-60℃；和/或所述干燥温度为80-120℃；所述超声清洗3-5次。

4.一种改性钙硼镧玻璃粉体，其特征在于，所述改性钙硼镧玻璃粉体在乙酸乙酯中的48h沉降比H/H₀为0.43-0.57；所述改性钙硼镧玻璃粉体在pH＝6的酸性环境下的Zeta电位为14.5-24.7；所述改性钙硼镧玻璃粉体在850℃的空气氛围下的热损失为0.74-1.76％；所述改性钙硼镧玻璃粉体的粒径为1.2-2.0微米；所述改性钙硼镧玻璃粉体通过权利要求1-3任一项所述的方法制得。

5.一种生瓷带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将权利要求4所述的改性钙硼镧玻璃粉体、有机载体和陶瓷粉体球磨混合，得到陶瓷浆料；

步骤二，将陶瓷浆料进行流延成型，得到所述生瓷带。

6.如权利要求5所述的生瓷带的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述改性钙硼镧玻璃粉体占所述陶瓷浆料质量的15-40wt％；所述有机载体占所述陶瓷浆料质量的15-40wt％；所述陶瓷粉体占所述陶瓷浆料质量的30-50wt％。

7.如权利要求5所述的生瓷带的制备方法，其特征在于，步骤一中，所述有机载体选自聚甲基丙烯酸甲酯的乙酸乙酯溶液和聚甲基丙烯酸甲酯的乙酸丁酯溶液中的至少一种；所述陶瓷粉体选自α-氧化铝、β-氧化铝和γ-氧化铝中的至少一种；和/或所述球磨转速为60-120r/min，球磨混合时间为48-60小时；步骤二中，所述流延成型速度为0.6-1m/min。

8.一种生瓷带，其特征在于，所述生瓷带通过权利要求5-7任一项所述的制备方法制得。

9.一种介电常数可控的LTCC基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将权利要求8所述的生瓷带进行裁切、热压叠层和烧结，得到所述LTCC基板。

10.如权利要求9所述的介电常数可控的LTCC基板的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为850-895℃，烧结时间为24-36h。