[发明专利]一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用

权利要求书

1.一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，包括以下步骤：

S₁：将Na_0.5Bi_0.5TiO₃、BiFeO₃和Sr_0.7Bi_0.2TiO₃以一定比例进行配制，然后加ZrO₂球和无水乙醇进行球磨；

S₂：将S₁中的料放置于样品盘中于干燥箱中进行烘干；

S₃：将S₂中的干料压制成直径为2cm、高2cm的圆柱体形状，然后放入马弗炉中进行预烧，排除CO₂；

S₄：将S₃中排除CO₂后的圆柱体样品捣碎成粉末状，然后进行二次球磨，细节如S₁所示；

S₅：将S₄中的粉料在干燥箱中以70℃温度进行烘干；

S₆：将S₅中的干料中一定量的PVA混合均匀，然后过400目筛，留下均匀的颗粒状料；

S₇：将S₆中所得粒料成直径为10mm、厚度为1mm的生片，然后置于马弗炉中排尽生片中的胶量，最后随炉冷却至室温；

S₈：将S₇中样品进行烧结，最后随炉冷却至室温后得到成品。

2.根据权利要求1所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，所述S₁中，Na_0.5Bi_0.5TiO₃、BiFeO₃和Sr_0.7Bi_0.2TiO₃配制比例为147：3：100；料、无水乙醇、球之比为1：2：1；球磨时间为30小时。

3.根据权利要求1所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，所述S₂中，干燥条件为70℃。

4.根据权利要求1所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，所述S₃中，圆柱体样品预烧温度为850℃，升温速率为4℃/min，保温时间为2小时。

5.根据权利要求1所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，所述S₄和S₅中，料、无水乙醇、球之比为1：2：1；球磨时间为30小时，干燥温度为70℃。

6.根据权利要求1所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，所述S₆中，PVA是由聚乙烯醇和去离子水以8：100的质量比混合均匀，每20g粉料加入约60滴PVA混合均匀后过400目筛留下下层样品。

7.根据权利要求1所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，所述S₇中，压制生片使用8MPa压力，排胶温度为600℃，升温速率为4℃/min，保温2小时。

8.根据权利要求1所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，所述S₇中样品烧结温度为1120℃，升温速率为4℃/min，保温2小时。

9.根据权利要求1-8任一项所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，制备的Sr_0.7Bi_0.2TiO₃掺杂Na_0.5Bi_0.5TiO₃-BiFeO₃陶瓷。

10.根据权利要求9所述的一种高储能密度介电陶瓷的制备方法及应用，其特征在于，所述Sr_0.7Bi_0.2TiO₃掺杂Na_0.5Bi_0.5TiO₃-BiFeO₃陶瓷应用于脉冲、雷达领域。