[发明专利]超材料低频插损测试方法及装置

权利要求书

1.一种超材料低频插损测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用天线发出低频电磁信号，测量目标点处天线发出的远场场强分布；

将超材料置于天线与目标点之间，再次测量目标点处天线发出的远场场强分布；

将同一天线频率，同一目标点处，有无超材料两种情况下的场强数据做差，得到相对场强变化，即为插损。

2.根据权利要求1所述的超材料低频插损测试方法，其特征在于，利用扫描架得到每个扫描位置的相对场强变化，将得到的一组相对场强变化值使用积分平均法，得到某一频率下的场强变化平均值，作为最终插损。

3.根据权利要求1所述的超材料低频插损测试方法，其特征在于，得到不同频率下的相对场强变化，作出曲线，得到相应的插损曲线。

4.根据权利要求1所述的超材料低频插损测试方法，其特征在于，低频范围为900MHz-3GHz。

5.根据权利要求1所述的超材料低频插损测试方法，其特征在于，将信号发生器与发射天线相连，利用信号发生器设定发射天线发出的信号频率。

6.根据权利要求1所述的超材料低频插损测试方法，其特征在于，将频谱分析仪与扫描架相连，获取远场场强分布。

7.一种用于实现权利要求1至6中任意一项所述的超材料低频插损测试方法的超材料低频插损测试装置，其特征在于，包括发射天线、信号发生器、扫描架、频谱分析仪；信号发生器与发射天线相连，用于设定发射天线发出的信号频率；扫描架与频谱分析仪相连，用于测量目标点处天线发出的远场场强分布。

8.根据权利要求7所述的超材料低频插损测试装置，其特征在于，该装置还包括移动支架，用于固定和移动发射天线。

9.根据权利要求7所述的超材料低频插损测试装置，其特征在于，该装置还包括无磁架，用于固定待测超材料。