[发明专利]一种类网状化烯丙基胺及其合成方法和作为电镀液中的整平剂的应用

说明书

本发明属于表面处理技术领域，公开了一种类网状化烯丙基胺及其合成方法和作为电镀液中的整平剂的应用。该类网状化烯丙基胺的合成方法包括以下步骤：将含氮环状化合物和多环氧化合物、烯丙基胺反应得到网状前单体，再经自由基聚合反应，即为类网状化烯丙基胺。本发明的类网状化烯丙基胺，配合公知湿润剂和加速剂，形成酸铜型的电镀填孔添加剂，然后添加到电镀液中，从而应用于半导体基板或印刷电路板上的通孔或盲孔实现全铜填充。

技术领域

本发明涉及表面处理技术领域，具体涉及一种类网状化烯丙基胺及其合成方法和作为电镀液中的整平剂的应用。

背景技术

近年来，作为便携终端机器、个人电脑、录像机、游戏机等电子机器的电路安装方法，以叠加(build－up)方法为代表的基板层叠方法逐渐得到广泛应用。在该叠加方法中，在多层板上激光钻盲孔，通过酸铜电镀方式和合适添加剂，以“超等角”模式沉积，实现盲孔的全铜填充。

“超等角”模式沉积的添加剂核心在于整平剂，现有技术中作为整平剂的已知有两类，均为缩聚反应的聚合物：胺类与缩水甘油醚的反应缩合物或该缩合物的季铵衍生物；咪唑等化合物与含醚键的聚环氧化合物的反应物。

同时，线路精细化要求导致制造工艺向半加成法(SAP)和改良型半加成法(M－SAP)转变，必然引起全板电填孔向图形填孔转变。上述工艺方法对填孔工艺提出了新要求：(1)线路圆弧度小于25％(线路圆弧度偏大会导致后续芯片封装的绑定可靠性下降)；(2)疏密线路的铜厚极差需控制在5微米以内。

传统季铵衍生物和环氧化合物的两类整平剂，再镀液长期运行中，易分解破坏及受图形工艺的光剂抗蚀剂干膜(包括：含羧基多元纯烯酸酯类，安息香及其衍生物，含氮杂环化合物等多种组分)溶出物的影响，无法保持镀液性能，导致无法稳定满足工艺发展的新要求。

所以须寻找一种整平剂在线路朝着精细化进程中解决芯片封装的绑定可靠性下降和将疏密线路的铜厚极差控制在5微米以内不稳定的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种类网状化烯丙基胺及其合成方法和作为电镀液中的整平剂的应用，以解决现有技术的整平剂在芯片封装的绑定可靠性下降和将疏密线路的铜厚极差控制在5微米以内不稳定的问题。

为了解决上述问题本发明提供了一种类网状化烯丙基胺的合成方法，包括以下步骤：

A、将含氮环状化合物、多环氧化合物和烯丙基胺反应得到网状前单体a1；

B、向网状前单体中加入自由基引发剂，完成自由基聚合，得到类网状化烯丙基胺。

进一步的，所述含氮环状化合物包括环己胺、环丁胺、环戊胺、苯胺、派啶、吡咯烷、吗啉或氮原子含甲基、乙基或芳基取代基的环己胺、环丁胺、环戊胺、苯胺、派啶、吡咯烷、吗啉。

进一步的，所述多环氧化合物为含三个或三个以上环氧基的化合物，包括丙三醇三缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、蓖麻油三缩水甘油醚或季戊四醇四缩水甘油醚。

进一步的，所述步骤A中，烯丙基胺和含氮环状化合物的总胺摩尔量，与多环氧化合物的环氧摩尔量的比例控制在2：1－5：1；反应温度为－20℃－30℃。

进一步的，所述步骤B中，自由基引发剂包括过硫酸盐类，如过硫酸钠、过硫酸钾、过硫酸铵，或偶氮二异丙基咪唑啉盐酸盐；自由基引发剂用量为烯丙基胺摩尔量的1％－10％，反应温度为50℃－70℃。

一种类网状化烯丙基胺，其由权利要求1－6任一项所述的类网状化烯丙基胺的合成方法制得。

一种类网状化烯丙基胺在铜镀液中作为整平剂组分的应用。

现有技术传统的两类整平剂无法稳定满足在线路圆弧度小于25％的工艺中，因为线路圆弧度偏大会导致后续芯片封装的绑定可靠性下降；也不能稳定地将疏密线路的铜厚极差控制在5微米以内。