[发明专利]用于形成包含钒和氧的层的方法和系统

权利要求书

1.一种用于填充间隙的方法，包括：

-将设置有间隙的衬底引入反应室，该间隙包括近端部分和远端部分，远端部分包括远端表面，近端部分包括近端表面；

-执行多个沉积循环，沉积循环包括前体脉冲和反应物脉冲，其中，

前体脉冲包括将钒前体引入反应室；并且

反应物脉冲包括将氧反应物引入反应室；

从而在远端表面上选择性地沉积含氧化钒材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钒前体选自卤化钒、氧卤化钒和有机金属钒化合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钒前体包括卤化钒。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述卤化钒包括氯化钒。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述氯化钒包括氯化钒(IV)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钒前体包括β-二酮化钒。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述氧反应物选自O₂,H₂O和H₂O₂。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述氧反应物包括H₂O。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，后续沉积循环由沉积循环间吹扫分开。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述前体脉冲和所述反应物脉冲由沉积循环内吹扫分开。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括单晶硅晶片。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述前体脉冲具有至少0.01秒到至多1.0秒的持续时间。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中，所述循环内吹扫具有至少1秒到至多10秒的持续时间。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述氧反应物脉冲具有至少0.1秒到至多1.0秒的持续时间。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，所述循环间吹扫具有至少2秒到至多50秒的持续时间。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中，所述反应室保持在至少0.1托到至多10托的压力下。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其中，所述循环间吹扫持续预定循环间吹扫时间，其中，所述反应室保持在预定反应室压力下，并且其中，预定循环间吹扫时间乘以预定反应室压力等于至少2秒·托到至多200秒·托。

18.一种半导体器件，包括通过根据权利要求1至17中任一项所述的方法形成的层。

19.一种系统，包括：

反应室；

包含钒前体的前体气体源；

包含氧反应物的反应物气体源；以及

控制器，其中，控制器配置为控制气体流入反应室，以通过根据权利要求1至17中任一项所述的方法在衬底上形成层。

20.根据权利要求19所述的系统，还包括喷淋头注射器，所述喷淋头注射器布置用于向所述反应室顺序提供所述钒前体和氧反应物。