[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及制备方法

说明书

本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及制备方法，该方法包括：对外延层及Mesa台阶进行刻蚀处理并刻蚀至衬底，以刻蚀得到切割道，切割道处外延层的侧面与衬底的顶面之间所形成锐角夹角为40°‑80°；在外延层上生长电流阻挡层；在外延层上生长电流扩展层并将电流阻挡层覆盖；在Mesa台阶与电流扩展层上分别制备N型导电金属与P型导电金属；在N型导电金属与P型导电金属以及电流扩展层上制备布拉格反射层，对布拉格反射层进行刻蚀以得到N型导电通孔与P型导电通孔；在布拉格反射层之上制备与N型导电金属对应的N型键合金属、与P型导电金属对应的P型键合金属。本发明能够在不减小芯片发光区面积、不增加芯片尺寸的情况下，增大切割道处衬底与外延层的横向距离。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，具体涉及一种倒装发光二极管芯片及制备方法。

背景技术

发光二极管以其节能、高亮、耐久性高、寿命长、轻巧等优势广泛应用于普通照明，特种照明、景观照明、植因照明、户外显示，户内显示、液晶显示，车载照明，车载显示等领域。目前，倒装LED可在大功率下稳定使用，具有较高的外量子效率，应用逐渐成熟。

然而，现有的倒装LED芯片切割道处衬底与外延层的横向距离较窄，影响了切割良率，且芯片固晶后容易发生侧壁漏电，一般通过减小芯片发光区面积或者增加芯片尺寸的方式增加切割道处衬底与外延层的横向距离，采用上述解决方案损失了芯片性能，同时增加了芯片成本。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种倒装发光二极管芯片及制备方法，能够在不减小芯片发光区面积、不增加芯片尺寸的情况下，增大切割道处衬底与外延层的横向距离。

本发明的一方面在于提供一种倒装发光二极管芯片的制备方法，用于制备所述倒装发光二极管芯片，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底之上生长一外延层，对所述外延层进行刻蚀以暴露出Mesa台阶；

对所述外延层及Mesa台阶进行刻蚀处理并刻蚀至所述衬底，以刻蚀得到切割道，其中，所述切割道处所述外延层的侧面与所述衬底的顶面之间所形成锐角夹角为40°-80°；

在所述外延层上生长一电流阻挡层；

在所述外延层上生长一电流扩展层并将所述电流阻挡层覆盖；

在所述Mesa台阶与所述电流扩展层上分别制备N型导电金属与P型导电金属；

在所述N型导电金属与所述P型导电金属以及所述电流扩展层上制备布拉格反射层，并对所述布拉格反射层进行刻蚀以得到N型导电通孔与P型导电通孔；

在所述布拉格反射层之上制备与所述N型导电金属对应的N型键合金属、与所述P型导电金属对应的P型键合金属，以使所述N型键合金属通过所述N型导电通孔与所述N型导电金属电性连接、所述P型键合金属通过所述P型导电通孔与所述P型导电金属电性连接。

根据上述技术方案的一方面，对所述外延层及Mesa台阶进行刻蚀处理并刻蚀至所述衬底，以刻蚀得到切割道的步骤中，所述刻蚀处理为电感耦合等离子体刻蚀。

根据上述技术方案的一方面，对所述外延层及Mesa台阶进行刻蚀处理并刻蚀至所述衬底，以刻蚀得到切割道的步骤，具体包括：

在所述外延层及Mesa台阶的表面涂布光刻胶；

对所述外延层及Mesa台阶进行涂胶后热盘烘烤；

通过光刻版对所述外延层及Mesa台阶进行光刻图形；

对所述外延层及Mesa台阶进行显影前烘烤、显影、显影后烘烤以及烤箱烘烤；

对所述外延层进行电感耦合等离子体刻蚀，其刻蚀选择比为0.6-1，以刻蚀得到切割道，去除所述外延层及Mesa台阶上残留的光刻胶。