[发明专利]一种用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法

权利要求书

1.一种用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述处理方法包括如下步骤：

S1、将SU-8光刻胶分配在Si/SiO₂基板上，并在旋涂机上进行涂覆；

S2、通过在旋转晶片的边缘分配丙二醇甲醚乙酸酯，去除边缘珠；

S3、将晶圆置于室温下的可编程加热板上进行低温烘烤；

S4、第一次紫外线曝光；

S5、将mr-DWL 40光刻胶旋涂在SU-8上，完成后进行软烘烤；

S6、第二次紫外线曝光，曝光后烘烤、显影、冲洗并干燥。

2.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S1中包括：

① 将4～6ml的SU-8光刻胶手动分配在4英寸Si/SiO₂基板上；

② 涂覆方式为：先在700rpm下以100rpm/s加速度进行30～40秒的铺展循环，然后在1600rpm下以100rpm/s加速度进行减薄循环55～65秒。

3.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S2包括：旋转速度为300rpm，时间为30～40秒。

4.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S3中包括：以2°C/min升温至50°C，然后在50°C下软烘烤5小时，自然冷却2小时。

5.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S4中包括：

① SU-8层在配备汞灯和长通滤光片的对准器上通过紫外线曝光图案化；

② 在365nm处以7mW/cm²的恒定强度通过掩模，掩模包括具有各种柱直径(d=10～50μm)和不同间距(a=25～250μm)的微柱阵列设计；

③ 第一次紫外线曝光剂量为200～220mJ/cm²。

6.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S5中包括：

① mr-DWL 40光刻胶的体积与步骤S1中SU-8的体积比为1:1；

② 涂覆方式为：在4000rpm下以100rpm/s加速度在SU-8上旋涂55～65秒；

③ 在50°C下软烘烤1小时。

7.根据权利要求1所述的用紫外光刻法制造的环氧基光刻胶的悬浮微结构的细微加工方法，其特征在于：所述步骤S6中包括：

① 对准器需配备365nm宽带滤光片和10mm厚的PMMA滤光片；

② 313nm、365nm和405nm处的恒定强度分别为0mW/cm²、0.33mW/cm²和10.50mW/cm²；

③ 第二次紫外线曝光剂量为30～35mJ/cm²；

④ 曝光后在50°C下烘烤处理5小时，然后在丙二醇甲醚醋酸酯中分两步显影，每步10min，再在异丙醇中冲洗30～40秒并在空气中干燥。