[发明专利]功率半导体器件及电子设备

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括衬底(201)、至少两个电气功能单元(202a、202b)、散热单元(203)和第一导热单元(204a)，所述至少两个电气功能单元(202a、202b)分别位于所述衬底(201)的相对的两侧且层叠设置，所述至少两个电气功能单元(202a、202b)之间通过所述衬底(201)电连接，形成所述功率半导体的电路，所述散热单元(203)包括腔体结构，所述第一导热单元(204a)用于将所述至少两个电气功能单元(202a、202b)产生的热量传导至所述腔体结构内部。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述至少两个电气功能单元(202a、202b)包括第一电气功能单元(202a)和第二电气功能单元(202b)，所述衬底(201)包括相对设置的顶面和底面，所述第一电气功能单元(202a)位于所述衬底(201)的顶面，所述第二电气功能单元(202b)位于所述衬底的底面。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述衬底(201)的底面和所述第二电气功能单元(202b)之间通过第一垫片(205a)连接，所述第一垫片(205a)与所述第二电气功能单元(202b)接触的区域为所述第二电气功能单元(202b)与所述衬底(201)之间电连接的有效区域。

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述至少两个电气功能单元(202a、202b)的层叠方向为第一方向，所述散热单元(203)和所述电路沿第二方向排列，所述第一垫片(205a)沿所述第二方向的尺寸小于所述衬底(201)的沿所述第二方向的尺寸。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导热单元(204a)连接所述衬底(201)。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括第一附接衬底(206a)以及与所述第一附接衬底(206a)连接的第二导热单元(204b)，所述第一附接衬底(206a)位于所述衬底(201)的顶面的一侧，所述第一附接衬底(206a)通过第二垫片(205b)与所述第一电气功能单元(202a)电连接，所述第二导热单元(204b)用于将所述至少两个电气功能单元(202a、202b)产生的热量传导至所述腔体结构内部。

7.根据权利要求3-6中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括第二附接衬底(206b)以及与所述第二附接衬底(206b)连接的第三导热单元(204c)，所述第二附接衬底(206b)位于所述衬底(201)的底面的一侧，所述第二附接衬底(206b)与所述第二电气功能单元(202b)电连接，所述第三导热单元(204c)用于将所述至少两个电气功能单元(202a、202b)产生的热量传导至所述腔体结构内部。

8.根据权利要求2-4中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括第一附接衬底(306a)，所述第一导热单元(304a)与所述第一附接衬底(306a)连接，所述第一附接衬底(306a)位于所述衬底(301)的所述顶面的一侧，所述第一附接衬底(306a)通过第二垫片(305b)与所述第一电气功能单元(202a)电连接。

9.根据权利要求2-4或8中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括第二附接衬底(306b)，所述第一导热单元(304a)与所述第二附接衬底(306b)连接，所述第二附接衬底(306b)位于所述衬底(301)的所述底面的一侧，所述第二附接衬底(306b)与所述第二电气功能单元(302b)电连接。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述至少两个电气功能单元(302a、302b)的层叠方向为第一方向，所述散热单元(303)和所述电路沿第二方向排列，所述第一方向和所述第二方向之间形成夹角。