[发明专利]红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述外延结构由衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层组成；

其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期先渐进式递增再渐进式递减，以使所述布拉格反射镜包含N型覆盖层和N型限制层的功能。

2.根据权利要求1所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述布拉格反射镜包括n对布拉格反射镜子层，其中，所述布拉格反射镜生长顺序上的前a对布拉格反射镜子层作为基层，Si掺杂浓度为0，第a+1对至第b对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随对数的递增而递增，第b对至第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随对数的递增而递减，其中，nba。

3.根据权利要求2所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第一预设浓度，第b对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第二预设浓度，第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为第三预设浓度，所述第二预设浓度大于所述第一预设浓度且所述第二预设浓度大于所述第三预设浓度。

4.根据权利要求3所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，所述第一预设浓度为1e¹⁵cm^-3，所述第二预设浓度为5e¹⁸cm^-3，所述第三预设浓度为1e¹⁵cm^-3。

5.根据权利要求3所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，n为45，a为3，b为25。

6.根据权利要求2所述的红黄GaAs二极管的外延结构，其特征在于，每对所述布拉格反射镜均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层。

7.一种红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-6任一项所述的红黄GaAs二极管的外延结构，所述制备方法包括：

提供一衬底并在所述衬底上生长一布拉格反射镜；

在所述布拉格反射镜上生长一多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长一P型限制层；

在所述P型限制层上生长一P型覆盖层；

及在所述P型覆盖层上生长一电流扩展层；

其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期先渐进式递增再渐进式递减，以使所述布拉格反射镜包含N型覆盖层和N型限制层的功能。

8.根据权利要求7所述的红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长一布拉格反射镜的步骤具体包括：

在所述衬底上依次生长第1对布拉格反射镜子层至第a对布拉格反射镜子层且生长过程中不进行Si掺杂，所述第1对布拉格反射镜子层至第a对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层；

在所述第a对布拉格反射镜子层上依次生长第a+1对布拉格反射镜子层至第b对布拉格反射镜子层且生长过程中进行Si掺杂，所述第a+1对布拉格反射镜子层至所述第b对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层，所述第a+1对布拉格反射镜子层至所述第b对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随布拉格反射镜子层对数的递增而渐进式递增；

在所述第b对布拉格反射镜子层上依次生长第b+1对布拉格反射镜子层至第n对布拉格反射镜子层且生长过程中进行Si掺杂，所述第b+1对布拉格反射镜子层至所述第n对布拉格反射镜子层均包括AlAs层及生长在所述AlAs层上的GaAs层，所述第b+1对布拉格反射镜子层至所述第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度随布拉格反射镜子层对数的递增而渐进式递减。

9.根据权利要求8所述的红黄GaAs二极管的外延结构的制备方法，其特征在于，所述第a+1对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为1e¹⁵cm^-3，所述第b对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为5e¹⁸cm^-3，所述第n对布拉格反射镜子层的Si掺杂浓度为1e¹⁵cm^-3。