[发明专利]一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202210185150.9 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114566566A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 陈占国;张文博;陈曦;孙浩航;刘晓航;赵纪红;刘秀环;侯丽新;高延军 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09;H01L31/0304 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 铝日盲 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化铝日盲光电探测器的制备方法,其步骤如下:
(1)使用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗c面蓝宝石衬底,然后用高纯氮气吹干;
(2)在步骤(1)获得的c面蓝宝石衬底上使用反应射频磁控溅射法生长氮化铝薄膜60~120min,铝源为高纯铝靶材,工作气体为高纯氮气,溅射气压为0.3~0.5Pa,射频功率为225~250W,溅射温度为350~450℃,得到的氮化铝薄膜的厚度为300~600nm;
(3)将步骤(2)制备的氮化铝薄膜进行“面对面”热退火处理,退火温度为1500~1600℃,退火气氛为高纯氮气(纯度大于等于99.999%),退火时间为60~120min;
(4)使用磁控溅射或电子束蒸发的方法在步骤(3)退火后的氮化铝薄膜上沉积金、铝、钛、银、钼、铬或镍等金属层,其厚度为100~400nm,,然后使用光刻工艺制备叉指电极,指宽与指间距均为5~100μm,从而制备得到氮化铝日盲光电探测器。
2.如权利要求1所述的一种氮化铝日盲光电探测器的制备方法,其特征在于:采用反应射频磁控溅射法制备氮化铝薄膜。
3.如权利要求1所述的一种氮化铝日盲光电探测器的制备方法,其特征在于:高纯氮气的纯度为99.999%以上。
4.如权利要求1所述的一种氮化铝日盲光电探测器的制备方法,其特征在于:高纯铝靶材的纯度为99.95%以上。
5.如权利要求1所述的一种氮化铝日盲光电探测器的制备方法,其特征在于:“面对面”热退火处理是将步骤(2)制备的氮化铝薄膜连同衬底切割为两半,将生长有氮化铝薄膜的一面“面对面”地贴合在一起并压紧,使氮化铝薄膜更紧密接触,然后进行退火。
6.一种氮化铝日盲光电探测器,其特征在于:是由权利要求1~5任何一项所述的方法制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的