[发明专利]光罩及其设计方法在审
申请号: | 202210185191.8 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114924462A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 高松;胡丹丹;张聪;郭晓波;张瑜 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;G03F1/80 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 设计 方法 | ||
1.一种光罩的设计方法,其特征在于,至少包括:
步骤一、提供第一光罩,所述第一光罩具有第一透明基底,所述第一透明基底上形成有不透光的图形结构;
步骤二、提供第一衬底,所述第一衬底上形成有第一、二结构区,所述第二结构区的图形密度小于所述第一结构区,之后形成覆盖所述第一、二结构区的光刻胶层,检测得到所述第一、二结构区上所述光刻胶层的高度差;
步骤三、提供第二光罩,所述第二光罩具有第二透明基底,刻蚀所述第二透明基底,之后在所述第二光罩的表面形成不透光的所述图形结构,使得曝光机台采用所述第二光罩对所述光刻胶层曝光时,分别对应所述第一、二结构区上焦点高度的差值为所述高度差。
2.根据权利要求1所述的光罩的设计方法,其特征在于:步骤一中的所述第一透明基底和步骤三中的所述第二透明基底的材料均为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的光罩的设计方法,其特征在于:步骤一中的所述图形结构的材料为金属铬。
4.根据权利要求1所述的光罩的设计方法,其特征在于:步骤二中所述高度差由所述曝光机台读取。
5.根据权利要求1所述的光罩的设计方法,其特征在于:步骤三中利用所述曝光机台以设定焦距对所述光刻胶层曝光时,对应所述第一结构区上焦点与所述光刻胶层上表面距离的差值为所述高度差,所述设定焦距定义为最佳焦距。
6.根据权利要求5所述的光罩的设计方法,其特征在于:所述方法还包括步骤四、对曝光后的所述光刻胶层进行显影和烘焙,之后采用量测机台检测所述设定焦距。
7.一种光罩,其特征在于,包括:
第二光罩,所述第二光罩具有透明基底,所述透明基底上形成有凹槽,之后在第二光罩的表面和所述凹槽的底面均形成不透光的所述图形结构,使得曝光机台采用所述第二光罩对衬底上的光刻胶层曝光时,分别对应无所述凹槽和所述凹槽的所述图形结构中,焦点的高度差与所述光刻胶层上表面的高度差相同。
8.根据权利要求7所述的光罩结构,其特征在于:所述透明基底的材料为二氧化硅。
9.根据权利要求7所述的光罩结构,其特征在于:所述图形结构的材料为金属铬。
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