[发明专利]外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片

权利要求书

1.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括蓝宝石衬底(10)和外延层(30)，所述外延层(30)位于所述蓝宝石衬底(10)的表面；

所述蓝宝石衬底(10)靠近所述外延层(30)的表面具有多个凸起结构(20)，多个所述凸起结构(20)间隔排布，所述凸起结构(20)的折射率位于所述蓝宝石衬底(10)的折射率和所述外延层(30)的折射率之间。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述凸起结构(20)的制作材料为氮化硅；或者，所述凸起结构(20)的制作材料为氮氧化硅和氮化硅。

3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述凸起结构(20)包括圆柱状凸起(201)。

4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述凸起结构(20)远离所述蓝宝石衬底(10)的端面具有凹孔(202)，所述凹孔(202)内填充有氧化铝材料层(203)。

5.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述凸起结构(20)包括多个同心分布的环状凸起(204)，所述环状凸起(204)具有多个隔断槽(205)，多个所述隔断槽(205)沿所述环状凸起(204)的周向间隔排布；

所述隔断槽(205)由所述环状凸起(204)远离所述蓝宝石衬底(10)的端面延伸至所述蓝宝石衬底(10)的表面。

6.根据权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述蓝宝石衬底(10)呈圆形，所述环状凸起(204)与所述蓝宝石衬底(10)同心分布。

7.根据权利要求1至6任一项所述的外延片，其特征在于，所述蓝宝石衬底(10)的表面还具有多个锥形凸起(11)，在平行于所述蓝宝石衬底(10)靠近所述外延层(30)的表面的至少一个方向上，所述锥形凸起(11)与所述凸起结构(20)交替排布。

8.一种外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一蓝宝石衬底；

在所述蓝宝石衬底用于外延生长的表面形成多个凸起结构，多个所述凸起结构间隔排布，所述凸起结构的折射率位于所述蓝宝石衬底的折射率和外延层的折射率之间；

在所述蓝宝石衬底上外延生长外延层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述蓝宝石衬底用于外延生长的表面形成多个凸起结构包括：

在所述蓝宝石衬底的表面沉积氮化硅层；

刻蚀所述氮化硅层形成所述凸起结构。

10.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括如权利要求1至7任一项所述的外延片。