[发明专利]超结器件

权利要求书

1.一种超结器件，包括：

半导体衬底；以及

位于所述半导体衬底的第一表面上的超结结构，所述超结结构包括多个第一半导体柱和多个第二半导体柱，所述多个第一半导体柱和所述多个第二半导体柱在所述第一表面上交替排列且彼此邻接，所述多个第一半导体柱和所述多个第二半导体柱的掺杂类型彼此相反，彼此相邻的第一半导体柱和第二半导体柱形成PN结，

其中，所述超结器件包括元胞区和围绕所述元胞区的终端区，所述超结结构的一部分位于所述元胞区中，另一部分位于所述终端区中，所述超结器件还包括位于所述终端区中并且围绕所述元胞区的保护环，

所述保护环包括分段延伸的多个掺杂区，以及将所述多个掺杂区连接成连续环的第一组半导体柱的顶端部分。

2.根据权利要求1所述的超结器件，其中，所述多个掺杂区位于第二组半导体柱的顶端，所述多个掺杂区中的相邻掺杂区与所述第一组半导体柱中的相应一个半导体柱邻接。

3.根据权利要求2所述的超结器件，其中，所述第一组半导体柱选自所述多个第一半导体柱，所述第二组半导体柱选自所述多个第二半导体柱。

4.根据权利要求3所述的超结器件，其中，所述多个第一半导体柱和所述多个第二半导柱中的各个半导体柱沿着第一方向平行延伸，沿着第二方向交替排列。

5.根据权利要求4所述的超结器件，其中，所述保护环在所述第一方向上的宽度对应于所述多个掺杂区中的相应掺杂区在第一方向上的掺杂区长度。

6.根据权利要求4所述的超结器件，其中，所述保护环在所述第二方向上的宽度对应于所述多个掺杂区中的相应掺杂区在所述第二方向上的掺杂区宽度与所述相应掺杂区邻接的第一半导体柱的宽度之和。

7.根据权利要求2所述的超结器件，其中，在所述元胞区中，所述超结器件还包括位于所述多个第一半导体柱的顶端的体区、以及位于所述体区中的源区。

8.根据权利要求7所述的超结器件，其中，所述多个掺杂区的结深与所述体区的结深相当。

9.根据权利要求2所述的超结器件，其中，所述保护环包括多个子环，所述多个子环分别包括分段延伸的多个掺杂区，以及将所述多个掺杂区连接成连续环的第一组半导体柱的顶端部分。

10.根据权利要求9所述的超结器件，其中，所述多个子环之间由所述第二组半导体柱的未掺杂区域彼此隔开。

11.根据权利要求10所述的超结器件，其中，所述多个子环之间的距离随着与所述元胞区的边缘的距离相应递增。

12.根据权利要求7所述的超结器件，其中，所述半导体衬底、所述多个第二半导体柱、以及所述源区分别为第一掺杂类型，所述多个第一半导体柱、所述体区、以及所述多个掺杂区分别为第二掺杂类型。

13.根据权利要求12所述的超结器件，其中，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。