[发明专利]声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置

说明书

一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中，声表面波谐振装置包括：压电基底，压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；位于第一总线区、第一间隔区、第二间隔区和第二总线区内的粒子注入部；位于压电基底表面的电极层，包括：第一总线、第二总线、与第一总线连接的若干第一电极条、以及与第二总线连接的若干第二电极条，第一电极条和第二电极条在第二方向上交替排布，第一电极条位于第一间隔区和叉指重合区表面上，第二电极条位于第二间隔区和叉指重合区表面上。因此，可减少横向声波泄漏，提升声表面波谐振装置的并联Q值。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括：功率放大器（PowerAmplifier，PA）、天线开关、RF滤波器、包括双工器（duplexer）在内的多工器（multiplexer）和低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）等。其中，RF滤波器包括压电声表面波（Surface Acoustic Wave，SAW）滤波器、压电体声波（Bulk Acoustic Wave，BAW）滤波器、微机电系统（Micro Electro Mechanical System，MEMS）滤波器、集成无源装置（IntegratedPassive Devices，IPD）滤波器等。

SAW谐振器的Q值较高，因此，基于SAW谐振器制作的RF滤波器（即SAW滤波器）插入损耗(insertion loss)低、带外抑制(out of band rejection)高，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流RF滤波器。其中，所述Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽，SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz~2.7GHz。

然而，现有的谐振器的Q值仍然有待提升。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，以减少横向声波的泄漏，提升所述声表面波谐振装置的并联Q值。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种声表面波谐振装置，包括：压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；位于所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区内的粒子注入部；位于所述压电基底表面的电极层，所述电极层包括：位于所述第一总线区表面上的第一总线、位于所述第二总线区表面上的第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区和所述叉指重合区表面上，所述第二电极条位于所述第二间隔区和所述叉指重合区表面上。

可选的，声波在所述叉指重合区传播的波速大于声波在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区传播的波速。