[发明专利]一种准二维钙钛矿单晶及其制备方法、一种钙钛矿光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202210192455.2 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114561708B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 邱锋;张博磊;刘子睿;刘光胜;田一;胡涛;丁家芬;白旋;刘青;张蕊;陈鹏;张天明;李思;李金平;张兴 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B9/12;C30B29/64;H10K30/00;H10K85/30 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 650091*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 钙钛矿单晶 及其 制备 方法 钙钛矿 光电 探测器 | ||
1.一种准二维钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
按照准二维钙钛矿的化学式(LA)2An-1BnX3n+1中的LA、A和B的计量数，将BO、AX、LAX、HX水溶液和助溶剂混合，得到母液；所述母液液滴中，B2+的摩尔浓度为0.45～0.59mol/L；所述(LA)2An-1BnX3n+1中：LA为正丁胺和/或苯乙胺；A为CH3NH2、HC(＝NH)NH2、NH2CH2NH2、Cs和Rb中一种或多种；B为Pb和/或Sn；X为Cl、Br和I中一种或多种；
将所述母液在衬底表面形成母液液滴，所述母液液滴的表层进行自组装，形成准二维钙钛矿单晶，所述自组装的时间≤10s；
将所述准二维钙钛矿单晶脱离母液液滴；所述准二维钙钛矿单晶的粒径≤50μm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述脱离为：采用聚二甲基硅氧烷薄膜吸附准二维钙钛矿单晶，将吸附有准二维钙钛矿单晶的聚二甲基硅氧烷薄膜远离母液液滴。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述母液液滴的体积为15～25μL/个。
4.一种钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿光电探测器，包括电极，设置于所述电极之间的沟道和设置于所述沟道中的靶面，所述靶面连通所述电极，所述靶面为准二维钙钛矿单晶；所述准二维钙钛矿单晶的粒径≤50μm；
包括以下步骤：
按照准二维钙钛矿的化学式(LA)2An-1BnX3n+1中的LA、A和B的计量数，将BO、AX、LAX、HX水溶液和助溶剂混合，得到母液；所述母液液滴中，B2+的摩尔浓度为0.45～0.59mol/L；所述(LA)2An-1BnX3n+1中：LA为正丁胺和/或苯乙胺；A为CH3NH2、HC(＝NH)NH2、NH2CH2NH2、Cs和Rb中一种或多种；B为Pb和/或Sn；X为Cl、Br和I中一种或多种；
将所述母液在衬底表面形成母液液滴，所述母液液滴的表层进行自组装，形成准二维钙钛矿单晶，所述自组装的时间≤10s；
将所述准二维钙钛矿单晶转移至所述沟道中形成靶面，得到所述钙钛矿光电探测器。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述沟道的宽为1.5～3μm，所述沟道的长为20～25μm。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述转移为：采用聚二甲基硅氧烷薄膜吸附所述准二维钙钛矿单晶后，将吸附在所述聚二甲基硅氧烷薄膜表面的1个准二维钙钛矿单晶对准光电探测器电极之间的沟道；
加热吸附有准二维钙钛矿单晶的二甲基硅氧烷薄膜，将1个所述准二维钙钛矿单晶热释放至光电探测器电极之间的沟道处。
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