[发明专利]基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法及器件在审
| 申请号： | 202210198731.6 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114566461A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郭盼盼;向遥;闫未霞;彭挺 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610299 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 正反面 半导体器件 深背孔 制作方法 器件 | ||
1.基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
在半导体器件正面进行刻蚀形成第一背孔；
在半导体器件正面涂覆保护层；
在半导体器件正面键合临时衬底，并对半导体器件衬底进行减薄处理；
在半导体器件背面进行刻蚀直至暴露第一背孔，形成第二背孔，实现深背孔制作。
2.根据权利要求1所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述方法还包括：
在形成第一背孔后，在第一背孔中制备第一金属层；
在半导体器件背面进行刻蚀直至暴露第一金属层，形成第二背孔。
3.根据权利要求1所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述形成第二背孔后还包括：
在半导体器件背面制作背金工艺。
4.根据权利要求1所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述在半导体器件正面进行刻蚀形成第一背孔具体包括：
在半导体器件正面光刻形成第一背孔图形；
基于第一背孔图形在半导体器件正面进行刻蚀形成第一背孔。
5.根据权利要求1所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述第一背孔的深度为80～150μm。
6.根据权利要求1所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述在半导体器件正面进行刻蚀形成第一背孔前还包括：
制作半导体器件正面工艺；
在完成正面工艺的半导体器件正面涂覆光刻胶。
7.根据权利要求1所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述对半导体器件衬底进行减薄处理具体包括：
在保护层上涂布粘合剂，在高温作用下与临时衬底键合；
采用机械研磨法和/或化学抛光法减薄半导体器件基底。
8.根据权利要求1所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述在半导体器件背面进行刻蚀直至暴露第一背孔，形成第二背孔具体包括：
在完成减薄处理的半导体器件背面光刻形成第二背孔图形；
基于第二背孔图形在半导体器件背面进行刻蚀直至暴露第一背孔，形成第二背孔。
9.根据权利要求1所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法，其特征在于：所述第二背孔的深度为30～120μm。
10.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件采用权利要求1-9任一项所述的基于正反面通孔的半导体器件深背孔制作方法制作深背孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
