[发明专利]一种高压集成电路在审
申请号: | 202210199648.0 | 申请日: | 2022-03-01 |
公开(公告)号: | CN114400995A | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 冯宇翔;左安超;张土明 | 申请(专利权)人: | 广东汇芯半导体有限公司 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/687 |
代理公司: | 江门市博盈知识产权代理事务所(普通合伙) 44577 | 代理人: | 余汉年 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 集成电路 | ||
本发明涉及电子电路技术领域,具体公开了一种高压集成电路,包括HVIC电路、内置驱动信号发生电路、EN1控制驱动信号电路、EN1输入端及外部驱动信号输入端,所述EN1控制驱动信号电路分别与所述内置驱动信号发生电路、EN1输入端、外部驱动信号输入端及HVIC电路电性连接,当EN1输入端为高电平时,所述HVIC电路由内置驱动信号发生电路进行驱动;当EN1输入端为低电平时,所述HVIC电路由外部驱动信号输入端进行驱动。本发明通过内置驱动信号发生电路,同时兼顾从外部输入逻辑驱动信号功能,通过EN1输入端输出的高低电平控制选择采用内部逻辑驱动信号还是从外部输入逻辑驱动信号,功能多样化,应用范围广,提升了HVIC应用的多元化。
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种高压集成电路。
背景技术
高压集成电路,即HVIC,是一种把MCU信号转换成驱动IGBT信号的集成电路产品。HVIC把PMOS管、NMOS管、三极管、二极管、稳压管、电阻、电容集成在一起,形成斯密特、低压LEVELSHIFT、高压LEVELSHIFT、脉冲发生电路、延时电路、滤波电路、过电流保护电路和过热保护电路、欠压保护电路、自举电路等电路。HVIC一方面接收MCU的控制信号,驱动后续IGBT或MOS工作,另一方面将系统的状态检测信号送回MCU,是IPM内部的关键芯片。HVIC的基本拓扑结构如图1所示,其中,HIN1、HIN2、HIN3为高侧驱动电路信号输入端;VB1、VB2、VB3为高侧驱动电路浮动电源端;VS1、VS2、VS3为高侧驱动电路浮动地;HO1、HO2、HO3为高侧驱动电路驱动信号输出端;VCC是低侧驱动电路供电电源;LIN1、LIN2、LIN3为低侧驱动电路信号输入端;LO1、LO2、LO3为低侧驱动电路驱动信号输出端;EN连接高侧驱动电路和低侧驱动电路,控制HIN1、HIN2、HIN3、LIN1、LIN2、LIN3是否有效;FO为HVIC故障信号输出端。传统的HVIC,在应用时,均需要外部输入逻辑驱动信号,无法采用自带信号驱动,功能较为单一,应用范围较小。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种高压集成电路,通过内置驱动信号发生电路,同时兼顾从外部输入逻辑驱动信号功能,通过EN1输入端输出的高低电平控制选择采用内部逻辑驱动信号还是从外部输入逻辑驱动信号,功能多样化,应用范围广,提升了HVIC应用的多元化。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:
一种高压集成电路,包括HVIC电路、内置驱动信号发生电路、EN1控制驱动信号电路、EN1输入端及外部驱动信号输入端,所述EN1控制驱动信号电路分别与所述内置驱动信号发生电路、EN1输入端、外部驱动信号输入端及HVIC电路电性连接,当EN1输入端为高电平时,所述HVIC电路由内置驱动信号发生电路进行驱动;当EN1输入端为低电平时,所述HVIC电路由外部驱动信号输入端进行驱动。
优选地,所述内置驱动信号发生电路用于输出正弦波信号或方波信号。
优选地,所述EN1控制驱动信号电路包括与非门电路、第一非门电路、第二非门电路、与门电路及或门电路,所述与非门电路分别与所述第一非门电路及第二非门电路电性连接,所述与门电路分别与所述第一非门电路及或门电路电性连接,所述或门电路分别与所述与门电路及第二非门电路电性连接。
优选地,所述内置驱动信号发生电路与所述与非门电路电性连接,所述EN1输入端分别与所述与非门电路及第一非门电路电性连接,所述外部驱动信号输入端与所述与门电路电性连接,所述或门电路与所述HVIC电路电性连接。
优选地,当所述EN1输入端的输入信号为高电平时,所述与非门电路输出与所述输入信号相反的逻辑信号,所述第二非门电路输出与所述与非门电路输入相同的逻辑信号,所述第一非门电路输出低电平,所述与门电路输出低电平,所述或门电路输出的逻辑电平与所述内置驱动信号发生电路的逻辑电平一致。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东汇芯半导体有限公司,未经广东汇芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210199648.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于人体解剖标本存放装置
- 下一篇:一种磷酸铁锂正极片、制备方法及电池